HWL30NPA
L波段
砷化镓功率FET
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
高效率
3V至6V工作
1
引脚1 ：源
引脚2 ：门
引脚3 ：排水
描述
该HWL30NPA是一个中等功率GaAs FET使用
表面贴装各种L波段式塑料封装
应用程序。
它适用于各种900兆赫， 1900
兆赫蜂窝/无线应用。
2
1
3
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
总功耗
+7V
-5V
I
DSS
3mA
150
°
C
-65到+150
°
C
2.8W
PA封装（ SOT- 89 ）
外形尺寸
装在一个无限的散热器。
电气规格
(TA=25
°
C） F = 1900 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
g
m
R
th
P
1dB
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=30mA
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=300mA
热阻
输出功率在1dB压缩点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 3V ，我
D
=0.5I
DSS
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
分钟。
500
-3.5
200
-
24.5
27.5
9
10
-
典型值。
600
-2.0
300
35
25.5
28.5
10
11
40
40
马克斯。
900
-1.5
-
45
-
G
1dB
dB
-
PAE
%
-
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