HWL30YRF
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
典型16.5分贝增益
5V至10V工作
外形尺寸
描述
该HWL30YRF是一个中等功率GaAs FET
设计用于各种L波段& S波段
应用程序。它是在低成本目前提供
陶瓷封装。
RF封装（陶瓷）
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
3毫安
175°C
-65到+ 175℃
6W
*安装在一个无限的散热器。
电气规格
（ TA = 25 ℃） F = 2400 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=5V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 5V ，我
D
=30mA
跨在V
DS
= 5V ，我
D
=300mA
热阻
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
= I
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
° C / W
DBM
dB
%
分钟。
500
-3.5
-
-
30
15
35
典型值。
600
-2.0
300
15
31
16.5
45
马克斯。
900
-1.5
-
25
-
-
-
g
m
R
th
P
1dB
G
1dB
PAE
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