HWL34YRF
L波段的GaAs功率场效应管
2002年秋V1
特点
•
•
•
•
低成本砷化镓功率场效应管
A类或AB类操作
大于14.5分贝增益
5V至10V工作
描述
该HWL34YRF是功率GaAs FET设计
各个L波段& S波段的应用程序。
在低成本的陶瓷封装当前课程。
这是
绝对最大额定值
V
DS
V
GS
I
D
I
G
T
CH
T
英镑
P
T
*
*
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
栅电流
通道温度
储存温度
功耗
+15V
-5V
I
DSS
6mA
175
°
C
-65到+175
°
C
12W
RF封装（陶瓷）
外形尺寸
装在一个无限的散热器。
电气规格
(T
A
=25
°
C） F = 2400 MHz的所有RF测试
符号
I
DSS
V
P
PARAMETERS &条件
饱和电流在V
DS
=3V, V
GS
=0V
夹断电压在V
DS
= 3V ，我
D
=60mA
跨在V
DS
= 3V ，我
D
=600mA
热电阻，渠道为案例*
输出功率在测试点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5I
DSS
增益1dB压缩点
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5I
DSS
功率附加效率（P
OUT
= P
1dB
)
V
DS
= 10V ，我
D
=0.5I
DSS
单位
mA
V
mS
°
C / W
DBM
dB
%
分钟。
900
-3.5
-
-
33
13.5
35
典型值。
1200
-2.0
700
9
34
14.5
45
马克斯。
1600
-1.5
-
12
-
-
-
g
m
R
th
P
1dB
G
1dB
PAE
*设备安装在一个无限的散热器。
Hexawave公司2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾， ROC 。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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电子邮件：
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所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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