HWS451
!
与驱动8pF典型性能数据
电容@ + 25 °
C
插入损耗与频率
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
-1.4
-1.6
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
!
2005年4月
V1
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+36 dBm的@ + 3V
+6V
-40 °C至+ 85°
C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗（dB ）
引脚输出（顶视图）
频率（GHz ）
B
B
12
11
10
A
隔离与频率
-5
-10
隔离度（dB ）
A
1
2
B
9
8
7
4
B
-15
A
3
5
6
B
A
-20
-25
-30
-35
2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0
频率（GHz ）
回波损耗与频率
-5
-10
注意：
1.隔直流电容器ç
B
=驱动8pF要求所有
RF端口。
2.射频旁路电容ç
A
=8pF.
在底3裸露焊盘必须被连接到
通孔地通过。
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
1
0
0
0
VC2
0
1
0
0
VC3
0
0
1
0
VC4
0
0
0
1
RFC
RF1
RF2
RF3
RF4
回波损耗（分贝）
-15
-20
-25
-30
-35
2.0
2.5
3.0
频率（GHz ）
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
Hexawave公司
2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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