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GM71C18163CJ-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71C18163CJ-6图片预览
型号: GM71C18163CJ-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 114 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71C18163C
GM71CS18163CL
EDO Page Mode Cycle
Symbol
Parameter
EDO Page Mode Cycle Time
EDO Page Mode RAS Pulse Width
Access Time from CAS Precharge
RAS Hold Time from CAS Precharge
Output data Hold Time from CAS low
CAS Hold Time referred OE
CAS to OE Setup Time
Read command Hold Time
from CAS Precharge
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
Note
25
16
9,17,22
Min Max Min Max Min Max
t
HPC
t
RASP
t
ACP
t
RHCP
t
DOH
t
COL
t
COP
t
RCHP
20
-
-
30
3
7
5
30
-
100,000
25
-
-
35
3
10
5
35
-
100,000
30
-
-
40
3
13
5
40
-
100,000
30
-
-
-
-
-
35
-
-
-
-
-
40
-
9
EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
Symbol
Parameter
EDO Page Mode Read-Modify-Write
Cycle Time
WE Delay Time from CAS Precharge
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
Unit
ns
ns
Note
Min Max Min Max Min Max
t
HPRWC
t
CPW
57
45
-
-
68
54
-
-
79
62
-
-
14,22
Refresh
Symbol
Parameter
GM71C(S)18163 GM71C(S)18163 GM71C(S)18163
C/CL-5
C/CL-6
C/CL-7
Unit
Note
1024
cycles
1024
cycles
Min Max Min Max Min Max
t
REF
t
REF
Refresh period
Refresh period (L -Series)
-
16
128
-
16
128
-
-
16
128
ms
ms
-
-
Rev 0.1 / Apr’01