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    GM76U256CLT 参数 Datasheet PDF下载

    GM76U256CLT图片预览
    型号： GM76U256CLT
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8位的3.0V低功耗CMOS SRAM慢 [32K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 175 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM76U256CLT的Datasheet PDF文件第9页  
    GM76U256C Series
    AC TEST CONDITIONS
    T
    A
    = 0°C to 70°C (Normal) / -25°C to 85°C (Extended) unless otherwise specified.
    Parameter
    Value
    Input Pulse Level
    0.4V to 2.2V
    Input Rise and Fall Time
    5ns
    Input and Output Timing Reference Level
    1.5V
    Output Load
    tCLZ,tOLZ,tCHZ,tOHZ,tWHZ,tOW
    CL = 5pF + 1TTL Load
    Others
    CL = 100pF + 1TTL Load
    AC TEST LOADS
    TTL
    CL(1)
    Note : Including jig and scope capacitance
    CAPACITANCE
    T
    A
    = 25°C, f = 1.0MHz
    Symbol
    Parameter
    C
    IN
    Input Capacitance
    C
    I/O
    Input /Output Capacitance
    Condition
    V
    IN
    = 0V
    V
    I/O
    = 0V
    Max.
    6
    8
    Unit
    pF
    pF
    Note : These parameters are sampled and not 100% tested
    Rev 02 / Apr. 2001
    4

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