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HY57V641620HGT-6 参数 Datasheet PDF下载

HY57V641620HGT-6图片预览
型号: HY57V641620HGT-6
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内容描述: 4库x 1米x 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 1M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 88 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V641620HG
C A P A C IT A N C E
Parameter
Input capacitance
CLK
A0 ~ A11, BA0, BA1, CKE, C S, RAS,
CAS, W E, UDQM, LDQM
Data input / output capacitance
DQ0 ~ DQ15
C
I/O
2
6.5
pF
( T A = 2 5°
C
, f = 1 M H z )
P in
S y m b o l
C
I1
CI
2
M in
2
2.5
Max
4
5
Unit
pF
pF
O U T P U T L O A D C IR C U IT
Vtt=1.4V
RT=250
Output
Output
50pF
50 pF
DC Output Load Circuit
AC Output Load Circuit
D C C H A R A C T E R IS T IC S I
( T A = 0
P a r a m e ter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output High Voltage
Output Low Voltage
I
L I
I
L O
V
OH
V
OL
Symbol
t o 7 0
°
C
, V
DD
=3.3
±
0 . 3 V
Note3
)
M in.
-1
-1
2.4
-
Max
1
1
-
0.4
Unit
uA
uA
V
V
Note
1
2
I
O H
= - 4 m A
I
O L
= + 4 m A
N o te :
1 . V
I N
= 0 t o 3 . 6 V , A l l o t h e r p i n s a r e n o t t e s t e d u n d e r V
IN
= 0 V
2.D
O U T
is disabled, V
O U T
=0 to 3.6
Rev. 0.5/Jun.01
5