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HY64SD16162B-E 参数 Datasheet PDF下载

HY64SD16162B-E图片预览
型号: HY64SD16162B-E
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内容描述: 1M ×16位低功耗低1T / 1C伪SRAM [1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 279 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY64SD16162B Series
Document Title
1M x 16 bit Low Low Power 1T/1C Pseudo SRAM
Revision history
Revision No. History
1.0
Initial
Draft Date
Dec. 4. ’02
Remark
Preliminary
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor Inc. does not
assume any responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Revision 1.0 / December. 2002
1