GM71C(S)17400C/CL
4,194,304字× 4位
CMOS动态RAM
描述
该GM71C （S） - 17400C / CL是新
代动态RAM举办4,194,304
字× 4位。 GM71C （S ） 17400C / CL有
实现更高密度，更高的性能和
各种功能，利用先进的CMOS
工艺技术。该GM71C （ S） 17400C / CL
提供快速页面模式的高速接入
模式。复用地址输入允许
GM71C （S） - 17400C / CL在一个被包装
标准的300万24 （ 26 ）脚SOJ ，和一个标准的
300万24 （ 26 ）引脚塑料TSOP II 。该
封装尺寸提供高系统密度的位
并且与广泛使用的兼容
自动化测试和插入设备。
体系化的特点包括：单电
电源5.0V +/- 10 ％的容差，直接连接
高性能逻辑能力的家庭
如肖特基TTL 。
特点
* 4,194,304字× 4位组织
*快速页模式功能
*单电源供电（ 5.0V +/- 10 ％ ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
t
RC
GM71C(S)17400C/CL-5
GM71C(S)17400C/CL-6
GM71C(S)17400C/CL-7
50
60
70
13
15
18
90
110
130
t
PC
35
40
45
引脚配置
24 （ 26 ） SOJ
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
*低功耗
主动：六百○五分之六百六十〇 / 550MW （ MAX）
待机： 11mW的（ CMOS电平： MAX ）
： 0.83mW （L -版本： MAX ）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 2048刷新周期/ 32ms的
* 2048刷新周期/ 128ms的（L-版本）
*电池备份操作（ L-版）
*测试功能： 16位并行测试模式
24 （ 26 ） TSOP II
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
8
9
10
11
12
13
19
18
17
16
15
14
8
9
10
11
12
13
19
18
17
16
15
14
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修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
