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GM71C17800CJ-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71C17800CJ-6图片预览
型号: GM71C17800CJ-6
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内容描述: X8快速页模式DRAM\n [x8 Fast Page Mode DRAM ]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 9 页 / 94 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71C17800C
GM71CS17800CL
2,097,152字× 8位
CMOS动态RAM
描述
该GM71C (S) - 17800C / CL是新
代动态RAM举办2,097,152
×8位。 GM71C (S ) 17800C / CL实现
更高密度,更高的性能和各种
通过采用先进的CMOS工艺功能
技术。该GM71C ( S) 17800C / CL报价
快速页模式为高速存取模式。
复用地址输入允许
GM71C (S) - 17800C / CL在被包装
标准的400万28PIN塑料SOJ和标准
400mil 28引脚塑料TSOP II 。封装尺寸
提供高系统位密度,是
与广泛使用的自动化兼容
检测和插入设备。
特点
* 2,097,152字× 8位组织
*快速页模式功能
*单电源( 5V +/- 10 % )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
t
CAC
GM71C(S)17800C/CL-5
GM71C(S)17800C/CL-6
GM71C(S)17800C/CL-7
50
60
70
13
15
18
t
RC
90
110
130
t
PC
35
40
45
*低功耗
主动:六百六十零分之七百一十五/ 605mW ( MAX)
待机: 11mW的( CMOS电平: MAX )
0.83mW (L -版本: MAX )
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 2048刷新周期/ 32ms的
* 2048刷新周期/ 128毫秒( L-版)
*电池备份操作( L-版)
*自刷新操作( L-版)
引脚配置
28 SOJ
V
SS 1
I/O0
2
I/O1
3
I/O2
4
I/O3
5
WE
6
RAS
7
NC
8
A10
9
A0
10
A1
11
A2
12
A3
13
V
CC 14
28
V
SS
27
I/O7
26
I/O6
25
I/O5
24
I/O4
23
CAS
22
OE
21
A9
20
A8
19
A7
18
A6
17
A5
16
A4
15
V
SS
28 TSOP II
V
SS 1
I/O0
2
I/O1
3
I/O2
4
I/O3
5
WE
6
RAS
7
NC
8
28
V
SS
27
I/O7
26
I/O6
25
I/O5
24
I/O4
23
CAS
22
OE
21
A9
20
A8
19
A7
18
A6
17
A5
16
A4
15
V
SS
A10
9
A0
10
A1
11
A2
12
A3
13
V
CC 14
( TOP VIEW )
修订版0.1 / Apr'01