GM71V17403C
GM71VS17403CL
4,194,304字× 4位
CMOS动态RAM
描述
该GM71V （S） - 17403C / CL是新
代动态RAM举办4,194,304
字× 4位。 GM71V （S ） 17403C / CL有
实现更高密度，更高的性能和
各种功能，利用先进的CMOS
工艺技术。该GM71V （ S） 17403C / CL
提供了扩展数据输出（ EDO ）页面模式的
高速存取模式。复用地址
输入允许GM71V （S） - 17403C / CL是
封装在一个标准的300万24 （ 26 ）引脚SOJ ，
和一个标准的300万24 （ 26 ）引脚塑料TSOP
II 。封装尺寸提供高系统位
密度，并且与广泛兼容
可自动检测和插入
设备。体系化的特征包括
单电源3.3V +/- 0.3V宽容，
具有较高的直接连接能力
高性能逻辑系列，如肖特基
TTL 。
特点
* 4,194,304字× 4位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源供电（ 3.3V +/- 0.3V ）
*快速存取时间及放大器;周期
（单位：纳秒）
t
RAC
t
CAC
GM71V(S)17403C/CL-5
GM71V(S)17403C/CL-6
GM71V(S)17403C/CL-7
50
60
70
13
15
18
t
RC
84
104
124
t
HPC
20
25
30
引脚配置
24 （ 26 ） SOJ
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
NC
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
*低功耗
主动： 369分之432 / 360MW （ MAX）
待机： 7.2MW （ CMOS电平： MAX ）
： 0.36mW （L -版本： MAX ）
* RAS只刷新，刷新RAS CAS之前，
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 2048刷新周期/ 32ms的
* 2048刷新周期/ 128ms的（L-版本）
*自刷新操作（ L-版）
*电池备份操作（ L-版）
*测试功能： 16位并行测试模式
24 （ 26 ） TSOP II
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
CC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
26
25
24
23
22
21
V
SS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
8
9
10
11
12
13
19
18
17
16
15
14
8
9
10
11
12
13
19
18
17
16
15
14
（ TOP VIEW ）
修订版0.1 / Apr'01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
