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    GM71VS17403CLJ-7 参数 Datasheet PDF下载

    GM71VS17403CLJ-7图片预览
    型号： GM71VS17403CLJ-7
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： X4 EDO页模式DRAM\n [x4 EDO Page Mode DRAM ]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 101 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第1页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第6页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM71VS17403CLJ-7的Datasheet PDF文件第9页  
    GM71V17403C
    GM71VS17403CL
    DC电气特性
    (V
    CC
    = 3.3V+/-0.3V, V
    SS
    = 0V ，T
    A
    = 0 ~ 70C)
    符号
    V
    OH
    V
    OL
    I
    CC1
    参数
    输出电平
    输出"H"电平电压（I
    OUT
    = -2mA
    )
    输出电平
    输出"L"电平电压（I
    OUT
    =
    2
    毫安）
    工作电流
    平均供电工作电流
    （ RAS ， CAS自行车
    :
    t
    RC
    =
    t
    RC
    分）
    待机电流（ TTL ）
    电源的待机电流
    （ RAS ， CAS = V
    IH
    ,
    D
    OUT
    =
    高-Z ）
    RAS只刷新当前
    平均供电电流
    RAS仅刷新模式
    (t
    RC
    = t
    RC
    分）
    EDO页面模式电流
    平均供电电流
    EDO页模式
    (t
    HPC
    = t
    HPC
    分）
    待机电流（ CMOS ）
    电源的待机电流
    （ RAS ， CAS > = V
    CC
    - 0.2V ，D
    OUT
    =高阻）
    CAS先于RAS的刷新电流
    (t
    RC
    = t
    RC
    分）
    50ns
    60ns
    70ns
    50ns
    60ns
    70ns
    50ns
    60ns
    70ns
    50ns
    60ns
    70ns
    民
    2.4
    0
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    最大
    V
    CC
    0.4
    100
    90
    80
    2
    100
    90
    80
    90
    80
    75
    1
    100
    100
    90
    80
    300
    单位
    V
    V
    记
    mA
    1, 2
    I
    CC2
    mA
    I
    CC3
    mA
    2
    I
    CC4
    mA
    1, 3
    I
    CC5
    mA
    uA
    mA
    5
    I
    CC6
    I
    CC7
    备用电池工作电流（待机与CBR刷新）
    （ CBR刷新，T
    RC
    = 31.3us
    ,
    t
    RAS
    ＆ LT ;?
    0.3
    我们，
    D
    OUT
    =
    高-Z ， CMOS接口）
    待机电流RAS = V
    IH
    CAS = V
    IL
    D
    OUT
    =
    启用
    自刷新模式电流
    （ RAS ， CAS< = 0.2V
    ,
    D
    OUT
    =
    高-Z ， CMOS接口）
    输入漏电流
    任何输入（ 0V
    ＆ LT ;?
    V
    IN
    ＆ LT ;?
    4.6V)
    输出漏电流
    (D
    OUT
    为残疾人， 0V
    ＆ LT ;?
    V
    OUT
    < = 4 。
    6V)
    uA
    4,5
    I
    CC8
    -
    -
    -10
    -10
    5
    200
    10
    10
    mA
    uA
    uA
    uA
    1
    I
    CC9
    I
    L（ I）的
    I
    L（ O）
    5
    注：1。我
    CC
    依赖于输出负载条件下，当被选择的设备。
    I
    CC
    （最大）被指定在输出开状态。
    2.地址可以一次或更少的改变，而RAS = V
    IL
    .
    3.地址可以一次或更少的改变，而CAS = V
    IH
    .
    4. CAS = L （ < = 0.2 ），而RAS = L （ < = 0.2） 。
    5. L - 版本。
    修订版0.1 / Apr'01

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