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GM71V17403CL-7 参数 Datasheet PDF下载

GM71V17403CL-7图片预览
型号: GM71V17403CL-7
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内容描述: 4,194,304字× 4位CMOS动态RAM [4,194,304 WORDS x 4 BIT CMOS DYNAMIC RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 101 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V17403C
GM71VS17403CL
14.
t
WCS
,
t
RWD
,
t
CWD
,
t
AWD
t
CPW
不是限制性的操作参数。它们都包含在
数据表作为唯一的电气特性;如果
t
WCS
& GT ; `
t
WCS
(分钟) ,循环是一个早期的写周期
和数据输出引脚将保持开路(高阻抗)在整个周期;如果
t
RWD
& GT ; `
t
RWD
(分钟),则
t
CWD
& GT ; `
t
CWD
( min),而
t
AWD
& GT ; `
t
AWD
(分钟) ,或
t
CWD
& GT ; `
t
CWD
( MIN)
t
AWD
& GT ; `
t
AWD
(分钟)和
t
CPW
& GT ; `
t
CPW
(分钟) ,则该循环是一个读 - 修改 - 写操作和数据输出将包含
从所选择的单元中读取数据;如果既不的条件在上述集被满足时,该
数据输出(在存取时间)的条件是不确定的。
15.这些参数是参照CAS领先优势在早期写周期和WE领先
缘在延迟写入或读 - 修改 - 写周期。
16.
t
RASP
定义EDO页面模式的周期RAS脉冲宽度。
17.获取时间是由其中的最长测定
t
AA
or
t
CAC
or
t
ACP
.
18. 16M的DRAM ,提供一个16位的时间节省并行测试模式。地址CA0和CA1的
4M X 4顷在测试模式不在乎。测试模式是通过执行一个WE-和-CAS先接后定
RAS ( WCBR )周期。在16位并行测试模式中,数据在每个I写入4位并行输入/输出
( I / O1到I / O 4 ),并从每个I / O读出。如果4位每个I / O都相等(均为1或0 ) ,数据
输出管脚测试模式中的读周期为高状态,则该设备已经过去。如果它们不
相等时,数据输出引脚为低态,则该设备发生故障。在测试模式下刷新
操作可通过正常的读周期或由WCBR刷新周期来执行。为了摆脱测试
模式并进入正常操作模式,执行以下任一常规的CAS先于RAS的刷新
周期或RAS只刷新周期。
19.在一个测试模式读出周期中,该值
t
RAC
,
t
AA
,
t
CAC
t
ACP
由2ns的延迟为5ns的
指定的值。这些参数应在测试模式下循环通过添加上述被指定
值本数据表中指定的值。
20. t
HPC
(分)可以在一系列EDO页模式写周期或EDO页模式来实现
读周期。如果同时写入和读出操作被混合在一个EDO页模式的RAS周期(EDO
页模式混合周期(1) , (2)) , CAS周期的最小值(叔
CAS
+ t
CP
+ 2t
T
)变大
除指定的T
HPC
(最小)值。的混合EDO页模式CAS周期时间的值是
在EDO页模式混合周期(1)和(2)所示。
修订版0.1 / Apr'01