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GM71VS18163CLT-6 参数 Datasheet PDF下载

GM71VS18163CLT-6图片预览
型号: GM71VS18163CLT-6
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内容描述: X16 EDO页模式DRAM\n [x16 EDO Page Mode DRAM ]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 115 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM71V18163C
GM71VS18163CL
1,048,576字× 16位
CMOS动态RAM
描述
该GM71V (S) - 18163C / CL是新
代动态RAM举办1,048,576
×16位。 GM71V (S ) 18163C / CL实现
更高密度,更高的性能和各种
通过采用先进的CMOS工艺功能
技术。该GM71V ( S) 18163C / CL报价
扩展数据输出(EDO )方式作为高速
访问模式。复用地址输入许可证
该GM71V (S) - 18163C / CL在被包装
标准的400万42pin塑料SOJ和标准
400mil 44 ( 50 )引脚塑料TSOP II 。包
尺寸提供高系统位密度,是
与广泛使用的自动化兼容
检测和插入设备。
特点
* 1,048,576字× 16位组织
*扩展数据输出模式功能
*单电源供电( 3.3V +/- 0.3V )
*快速存取时间及放大器;周期
(单位:纳秒)
t
RAC
t
CAC
GM71V(S)18163C/CL-5
GM71V(S)18163C/CL-6
GM71V(S)18163C/CL-7
50
60
70
13
15
18
t
RC
84
104
124
t
HPC
20
25
30
引脚配置
42 SOJ
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
NC
WE
RAS
NC
NC
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
*低功耗
主动: 612分之684 / 540mW ( MAX)
待机: 7.2MW ( CMOS电平: MAX )
0.83mW (L -版本: MAX )
* RAS只刷新,刷新RAS CAS之前,
隐藏刷新功能
*所有的输入和输出TTL兼容
* 1024刷新周期/ 16ms的
* 1024刷新周期/ 128ms的(L-版本)
*自刷新操作( L-版)
*电池备份操作( L-版)
* 2 CAS字节控制
44 ( 50 ) TSOP II
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
NC
NC
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
V
CC
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
CC
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
V
SS
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
V
SS
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
NC
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
( TOP VIEW )
修订版0.1 / Apr'01