GM76C256C系列
DC特性
VCC = 5V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） ，除非另有说明。
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
符号
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
10
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
70
分钟。占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH
-
-
1
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
CMOS待机电流
/ CS >为VCC - 0.2V ，
L
-
-
40
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
-
-
20
V
IN
< VSS + 0.2V
LE
-
-
60
LLE
-
-
30
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.4
-
-
注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
uA
V
V
交流特性（ I）
VCC = 5V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展），除非另有说明。
-55
-70
-85
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
55
-
70
-
85
-
2
TAA
地址访问时间
-
55
-
70
-
85
3
TACS
芯片选择访问时间
-
55
-
70
-
85
4
TOE
输出使能到输出有效
-
30
-
35
-
45
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片禁用高Z输出
0
20
0
30
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
20
0
30
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
5
-
5
-
5
-
写周期
10 TWC
写周期时间
55
-
70
-
85
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
50
-
65
-
75
-
12 TAW
地址有效到写结束
50
-
65
-
75
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
40
-
50
-
60
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
20
0
25
0
30
17 TDW
数据写入时间重叠
25
-
30
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
转03 / 2000年4月
3
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
