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GM76C256CLLET 参数 Datasheet PDF下载

GM76C256CLLET图片预览
型号: GM76C256CLLET
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内容描述: 32K ×8位的5.0V低功耗CMOS SRAM慢 [32K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 177 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GM76C256C系列
描述
该GM76C256C是一种高速,低功耗,
32786 ×8位的CMOS静态随机存取
使用的内存制造
海力士的高
高性能CMOS工艺技术。这是
适用于低电压操作使用和
电池备份应用程序。此装置有一个
数据保存方式,保证数据
仍然有效的最小电源
电压为2.0伏。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池(L / LL -部分)
- 2.0V (分钟)的数据保留
标准引脚配置
- 28引脚600mil PDIP
- 28引脚330mil SOP
- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I
(标准)
待机电流( UA)
L
LL
40
20
60
30
温度
(°C)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
产品
电压
速度
(V)
(纳秒)
GM76C256C
5.0
55/70/85
GM76C256CE
5.0
55/70/85
注意事项1.当前值最大。
手术
电流(mA )
10
10
引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
PDIP
SOP
TSOP -I (标准)
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A14
I / O1 〜 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(+5.0V)
A0
框图
SENSE AMP
行解码器
添加输入缓冲器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
列解码器
A14
/ CS
/ OE
/ WE
转03 / 2000年4月
控制
逻辑
写入驱动器
存储阵列
512x512
2