GM76U256C系列
注（写周期） ：
1.低/ CS和低/ WE重叠期间，写操作。写在开始的最新转变
中/ CS变低和/ WE变为低电平：写在中/ CS变为高电平最早的过渡结束
和/我们要高。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
2. t
CW
是从/ CS以后会低到写结束时开始算起。
3. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
4. t
WR
从写入地址变更的端部测量的。吨
WR是
如果写结束的/ CS应用，
或/我们要高。
5.如果/ OE和/ WE在这一时期的阅读模式，以及I / O引脚输出低电平-Z状态，
的输出的相位相反的输入不能被应用，因为总线争用可能发生。
6.如果/ CS同时变为低电平与/我们是否低，或后/我们要低，输出保持在高
阻抗状态。
7. D
OUT
是在这个写周期中的最新写入的数据相同的相位。
8. D
OUT
是新的地址的读数据。
数据保持特性
TA = 0 ° C至70 ° C（普通）
符号
参数
V
DR
VCC为数据保留
I
CCDR
数据保持电流
测试条件
CS>Vcc-0.2V,
V
IN
>Vcc - 0.2V或V
IN
<Vss+0.2V
Vcc=3.0V,
L
/ CS ＆ GT ;为VCC - 0.2V ，
LL
V
IN
>Vcc - 0.2V或
LE
V
IN
< VSS + 0.2V
LLE
看到数据保留
民
2.0
-
-
-
-
0
TRC
(2)
典型值
-
1
0.5
1
0.5
-
-
最大
-
15
7
20
10
-
-
单位
V
uA
uA
uA
uA
ns
ns
TCDR
tR
时序图
笔记
1.典型的值是T的条件下
A
= 25°C.
2. TRC为读周期时间。
芯片取消到数据
保留时间
营业恢复时间
数据保持时序图
VCC
2.7V
TCDR
数据保持方式
tR
2.2V
VDR
CS>VCC-0.2V
CS
VSS
转02 / 2001年4月
7
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
