GM76U256C系列
DC特性
VCC = 3.0V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） ，除非另有说明。
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
符号
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
-
2
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
30
分钟。占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
CC2
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
5
周期= 1us的，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
-
0.3
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
CMOS待机电流
/ CS＆ GT ; VCC - 0.2V
L
-
-
20
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
-
-
10
V
IN
< VSS + 0.2V
LE
-
-
30
LLE
-
-
15
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.4
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.0V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
uA
V
V
交流特性（ I）
VCC = 3.0V
±10%,
T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展），除非另有说明。
-10
-12
单位
＃符号
参数
分钟。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
100
-
120
-
ns
2
TAA
地址访问时间
-
100
-
120
ns
3
TACS
芯片选择访问时间
-
100
-
120
ns
4
TOE
输出使能到输出有效
-
50
-
60
ns
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
ns
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
ns
7
TCHZ
芯片禁用高Z输出
0
35
0
40
ns
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
35
0
40
ns
9
TOH
从地址变更输出保持
15
-
15
-
ns
写周期
10 TWC
写周期时间
100
-
120
-
ns
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
80
-
100
-
ns
12 TAW
地址有效到写结束
80
-
100
-
ns
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
ns
14 TWP
把脉冲宽度
70
-
85
-
ns
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
ns
16 tWHZ
写在高Z输出
0
30
0
40
ns
17 TDW
数据写入时间重叠
40
-
50
-
ns
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
ns
19 TOW
输出写入结束活动
10
-
10
-
ns
转02 / 2001年4月
3
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
