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    GM76V256CLFW 参数 Datasheet PDF下载

    GM76V256CLFW图片预览
    型号： GM76V256CLFW
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32K ×8位的3.3V低功耗CMOS SRAM慢 [32K x8 bit 3.3V Low Power CMOS slow SRAM]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 11 页 / 175 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第3页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第4页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第5页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第7页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第8页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第9页浏览型号GM76V256CLFW的Datasheet PDF文件第10页  
    GM76V256C系列
    时序图
    读周期1
    TRC
    ADDR
    TAA
    OE
    TOE
    TOLZ
    CS
    TACS
    TCLZ
    数据
    OUT
    高-Z
    数据有效
    tOHZ
    TCHZ
    TOH
    注（读周期） ：
    1. t
    CHZ
    和T
    OHZ
    被定义为时间，让输出达到开路条件和arenot
    参考输出电压电平。
    2.在任何给定的温度和电压条件下，叔
    CHZ
    最大。小于吨
    CLZ
    分钟。无论对于一个给定的设备
    和从设备到设备。
    3. / WE为高电平的读出周期。
    读周期2
    TRC
    ADDR
    TAA
    TOH
    数据
    OUT
    以前的数据
    数据有效
    TOH
    注（读周期） ：
    1. / WE为高电平的读出周期。
    2.设备不断选择/ CS = V
    IL 。
    3 / OE = V
    IL
    .
    转02 / 2001年4月
    5

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