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GMS82524 参数 Datasheet PDF下载

GMS82524图片预览
型号: GMS82524
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内容描述: 8位单芯片微控制器 [8-BIT SINGLE-CHIP MICROCONTROLLERS]
分类和应用: 微控制器
文件页数/大小: 93 页 / 1003 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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GMS82512/16/24
现代微电子
7.电气特性
7.1绝对最大额定值
电源电压............................................. -0.3〜 7.0 V
存储温度.................................. -40到+125
°C
在相对于地面的任何引脚电压(V
SS
)
.................................................. ................- 0.3 V
DD
+0.3
最大电流输出的V
SS
销.......................... 150毫安
最大电流为V
DD
销.............................. 80毫安
由(Ⅰ沉没的最大电流
OL
每个I / O引脚) .......... 20毫安
最大输出电流源通过(我
OH
每个I / O引脚)
.................................................. ................................. 8毫安
最大电流( ΣI
OL
) ...................................... 100毫安
最大电流( ΣI
OH
) ........................................ 50毫安
注意:
注意,超出上述绝对马克西在“上市
妈妈“,可能会导致到设备的永久损坏
副。这是一个额定值只和功能操作
该装置在高于任何其他条件表示
本规范的业务部门是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件为前
往往会影响器件的可靠性。
7.2推荐工作条件
特定网络阳离子
参数
符号
条件
分钟。
电源电压
V
DD
f
XIN
= 1〜 10MHz的
f
XIN
= 1〜8兆赫
f
XIN
= 1 〜 4兆赫
V
DD
=4.5~5.5V
V
DD
=2.7~5.5V
V
DD
=2.2~5.5V
普通版
温扩工程版本
4.5
2.7
2.2
1
1
1
-20
-40
马克斯。
5.5
5.5
5.5
10
8
4
85
85
V
单位
工作频率
f
XIN
兆赫
工作温度
T
OPR
°C
7.3 A / D转换器特性
(T
A
= 25 ° C,V
SS
=0V, V
DD
=5.12V@f
XIN
=为8MHz ,V
DD
=3.072V@f
XIN
=4MHz)
特定网络阳离子
参数
符号
分钟。
模拟输入电压范围
非线性误差
微分非线性误差
零点偏移误差
满量程误差
增益误差
总体精度
AV
DD
输入电流
转换时间
V
艾因
N
NLE
N
DNLE
N
佐伊
N
FSE
N
GE
N
I
REF
T
CONV
V
SS
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
典型值。
1
-
±1.0
±1.0
±0.5
±0.35
±1.0
±1.0
0.5
-
f
XIN
=4MHz
AV
DD
±1.5
±1.5
±1.5
±0.5
±1.5
±1.5
1.0
40
f
XIN
=8MHz
AV
DD
±1.5
±1.5
±1.5
±0.5
±1.5
±1.5
1.0
20
V
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
最低位
mA
µs
单位
10
二月2000版1.00