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的128Mbit （ 8Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1262EFP系列
描述
海力士H55S1262EFP适合于它们使用的电池，如掌上电脑， 2.5G和3G蜂窝非PC应用程序
手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本电脑，掌上电脑。
海力士128M移动SDRAM是134217728位CMOS移动同步DRAM （移动SDR ） ，非常适用于
主存储器的应用程序，需要大的存储密度和高带宽。它是作为对4banks
2,097,152x16.
移动SDRAM是工作于同步地输入时钟类型的DRAM 。海力士移动SDRAM锁
与同步于一个基本的输入时钟（CLK）和输入的上升沿每个控制信号/输出数据
输入时钟（CLK） 。的地址线上的复用x16的输入复用的数据输入/输出信号/
输出总线。所有的命令被锁存同步于CLK的上升沿。
移动SDRAM芯片提供了可编程的读出或写入可编程的突发长度突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8
位置或整页。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电该已以启动
tiated处的突发存取的结束。的移动SDRAM采用内部流水线结构来实现高速
操作。此架构是compartible与
2n
预取架构的规则，但它也允许列
地址可以在每个时钟周期改变，实现了高速的，完全的随机访问。预充电，而一家银行
访问其他三个银行之一将隐藏预充电周期，并提供无缝的，高速的， randon-
访问操作。
读取和写入访问的海力士移动SDRAM的是突发式;
存取开始在一个选定的位置，并继续为在一个编程的顺序位置的设定数量。
访问开始以积极的命令，然后接着读或写命令的登记。
注册与激活指令的地址位用来选择银行，该行是
访问。注册暗合了读或写命令的地址位用来选择银行，
起始列位置的突发访问。突发读取或写入正在进行周期可以由被终止
突发终止命令，或者可以通过一个新的突发读取中断，更换或写命令在任何
周期（此流水线设计并不仅限于由
2N
规则）。
海力士移动SDR还提供了特殊的可编程选项，包括全系列的部分阵列自刷新，
半阵， 45或85度的四分之一阵列温度补偿自刷新
o
C.
海力士移动SDR具有自动TCSR （温度补偿自刷新） ，以特殊的低功耗功能
降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器被植入，它使得能够自动
根据温度，无需外部EMRS命令调整刷新率。
深度掉电模式是一种额外的工作模式的移动SDR 。这种模式可以实现最大功率
还原除去功率给每个移动SDR中的存储器阵列。通过使用此功能，该系统可切
关闭alomost所有的DRAM电源无需添加电源开关的成本，放弃母板上电源线布局
灵活性。
所有的输入都是LV- CMOS兼容。设备将有一个V
DD
和V
DDQ
1.8V的电源（标称值） 。
修订版1.2 /八月2009年
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
