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H55S2532JFR-75M 参数 Datasheet PDF下载

H55S2532JFR-75M图片预览
型号: H55S2532JFR-75M
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内容描述: 基于2M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank X32的I / O [256MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x32 I/O]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 55 页 / 1229 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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的256Mbit ( 8Mx32bit )移动SDR
H55S2622JFR系列
H55S2532JFR系列
球说明
符号
CLK
CKE
CS
BA0 , BA1
TYPE
输入
输入
输入
输入
描述
时钟:系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
CLK的上升沿
时钟使能:控制内部时钟信号和停用时,将SDRAM会
跻身断电的国家之一,暂停或自刷新
芯片选择:启用或禁用除CLK , CKE , DQM0 〜 DQM3所有输入
银行地址:银行选择将RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
在2K字节(普通)页面尺寸案例:
行地址: RA0 〜 RA11 ,列地址: CA0 〜 CA8
自动预充电标志: A10
在1KBytes (减少)页面尺寸案例:
行地址: RA0 〜 RA12 ,列地址: CA0 〜 CA7
自动预充电标志: A10
命令输入: RAS , CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
数据屏蔽:控制输出缓冲器在写读方式和口罩的输入数据
模式
数据输入/输出:复用数据输入/输出引脚
电源的内部电路
电源,输出缓冲器
无连接
A0 ~ A12
输入
RAS , CAS , WE
DQM0 〜 DQM3
DQ0 〜 DQ31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
输入
输入
I / O
供应
供应
-
1.0版/ 2008年11月
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