H5DU1262GTR系列
上电顺序和器件初始化
PPRE
的DDR SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。比其他的操作流程
规定可能会导致不确定的操作。电源必须首先被应用到V
DD
，然后到V
DDQ
，最后到VREF
（和系统的VTT ） 。 VTT必须经过V应用
DDQ
为了避免装置的闩锁，并因此可能导致永久性损坏
年龄到设备。 V
REF
可V后，可随时申请
DDQ
，但预计将与VTT的标称重合。
除CKE ，输入无法识别为有效，直至V后
REF
被施加。 CKE是SSTL_2输入，而将检测
经过V LVCMOS低电平
DD
被施加。维持对CKE的LVCMOS低电平上电时需要
保证DQ和DQS输出将在高阻状态，他们将在那里停留，直到在正常操作驱动
ATION （由读访问）。毕竟电源和参考电压是稳定的，并且在时钟稳定，在DDR
SDRAM要求之前，将一个可执行命令200us的时延。
一旦200us的延迟已经被满足，一DESELECT或NOP命令应该应用，和CKE应
拉高。下列中的NOP指令，一个预充电ALL命令应该被应用。接下来一个EXTENDED
应为扩展模式寄存器发出模式寄存器设置命令，以使该DLL ，然后MODE
应为模式寄存器发出寄存器设置命令，重置DLL ，并在操作程序
参数。后该DLL复位，T
XSRD
（ DLL锁定时间）应满足的读命令。该模式雷吉斯后
器设置命令，全部预充电命令应该被应用，将设备中的所有银行都处于空闲状态。
一旦处于空闲状态时， 2自动刷新周期必须被执行。此外，模式寄存器设置命令
为模式寄存器，与复位DLL位停用低（即程序无需重新设定工作参数
该DLL ）必须被执行。下面这些周期中， DDR SDRAM可以正常运行。
1.
接通电源 - V
DD
, V
DDQ
， VTT ，V
REF
在下面的加电排序，并试图维持CKE在LVC-
MOS低状态。 （所有其他的输入引脚可以是不确定的。 ）
• V
DD
和V
DDQ
从单一的电源转换器的输出被驱动。
• VTT被限制为1.44V （ V反射
DDQ
（最大值） / 2 + 50mV的V
REF
变化+ 40mV的VTT变化。
• V
REF
跟踪V
DDQ
/2.
•如果上述条件不能由系统设计来满足，那么下面的排序和电压关系
船舶必须在上电期间被遵守。
电压说明
V
DDQ
VTT
V
REF
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
测序
后或在V
DD
后或在V
DDQ
后或在V
DDQ
电压的关系，以避免闩锁
＆ LT ; V
DD
+ 0.3V
＆ LT ; V
DDQ
+ 0.3V
＆ LT ; V
DDQ
+ 0.3V
启动时钟和保持稳定的时钟信号，以便最小200usec 。
稳定的电源和时钟后，将NOP条件，并采取CKE高。
问题扩展模式寄存器设置（ EMRS ） ，使DLL。
发行模式寄存器设置（ MRS）复位DLL ，并设置设备在空闲状态位A8 =高。 （增加200
周期（T
XSRD
）时钟的需要进行锁定DLL）的
发行预充电命令为设备的所有银行。
问题2以上自动刷新命令。
发出模式寄存器设置命令初始化模式寄存器位A8 =低
版本1.0 / 2009年5月
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
