H5RS5223CFR
BALLOUT说明
FBGA BALLOUT
J10, J11
符号
CK ， CK ＃
TYPE
输入
描述
时钟： CK和CK ＃是差分时钟输入。所有的地址和反对
控制输入信号采样上的正边缘的交叉
CK和CK的＃下降沿。
时钟使能： CKE高激活和CKE低停用间
内部时钟，输入缓冲器和输出驱动器。以CKE LOW提供
预充电掉电和自刷新操作（所有银行
空闲） ，或ACTIVE POWER- DOWN （行积极参与任何银行） 。 CKE是
同步进行掉电进入和退出，以及自刷新
条目。 CKE是异步的自刷新退出和禁用
的输出。 CKE必须保持高通量读写
访问。输入缓冲器（不包括CK ， CK ＃和CKE ）被禁用
在断电期间。输入缓冲器（不包括CKE ）被禁用
在自刷新。
芯片选择： CS ＃启用（注册LOW ）和禁用（注册
HIGH ）命令解码器。所有的命令都是蒙面当CS ＃为
注册HIGH 。 CS ＃提供了对系统的外部组选择
与多家银行。 CS ＃被认为是命令代码的一部分。
命令输入： RAS ＃ ， CAS ＃和WE ＃ （连同CS ＃ ）定义
所输入的命令。
输入数据掩码： DM是输入掩码信号写入数据。输入
当DM采样HIGH随着输入数据的数据被屏蔽
在写访问。糖尿病被采样的上升沿和下降沿
WDQS 。
银行地址输入： BA0和BA2确定哪个银行的积极，
读，写或预充电命令被应用。
地址输入：提供行地址为ACTIVE命令，
列地址和自动预充电位（ A8）为读/写
命令，以选择一个位置在该存储器阵列的
各银行。预充电命令期间A8采样阻止 -
矿山是否预充电适用于一家银行（ A8低，银行
BA2 ）或所有银行（ A8 HIGH ） - 由BA0选择。地址输入
还提供了一个模式寄存器设置命令在操作码。
BA0和BA1定义哪个模式寄存器（模式寄存器或延长
模式寄存器）中加载模式寄存器加载的COM
命令。
H4
CKE
输入
F9
CS ＃
输入
H 3 ， F 4 ，H9
RAS ＃ ， CAS ＃ ， WE＃
输入
E（ 3 ，10） ，N- （3 ，10）
DM0-DM3
输入
G（ 4,9） ， H10
BA0 - BA2
输入
H(2, 11),
K(2-4, 9-11),
的L（ 4,9 ），M（ 4,9）
A0-A11
输入
B（ 2,3） ，C（ 2,3） ，E 2 ，F（ 2,3） ，
G 3， B（ 10，11 ），C（ 10，11 ） ，
E11， F（ 10,11） ， G10， L10，
M（ 10，11 ） ， N11中，R （10， 11） ，
T（ 10,11） ，L 3 ，M（ 2,3） ，
N 2中，R （2,3 ）中，T （2 ，3）
D（ 3，10 ），P（ 3 ，10）
D（ 2 ， 11 ），P（ 2 ， 11）
U4
J(2, 3)
DQ0-31
I / O
数据输入/输出：
RDQS0-3
WDQS0-3
SEN
NC / RFU
产量
输入
输入
读数据选通：输出与读取数据。 RDQS是边沿对齐用
读取数据。
写数据选通信号：输入与写入数据。 WDQS的中心对齐
的输入数据。
扫描使能引脚。逻辑高电平将使扫描模式。要绑
到GND在不使用时。该引脚是CMOS输入。
无连接
Rev.1.5 / 2008年7月
6
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
