HY27UA （ 08/16 ） 1G1M系列
HY27SA （ 08/16 ） 1G1M系列
1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存
文档标题
1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
号
0.0
0.1
1 ）初步草案
1 ）添加工作在1.8V的产品数据表
1 ）改变AC特性
0.2
- 雷公藤多甙（ 25ns的- >40ns ） ， TWC （为50ns - >60ns ）
- 激进党（ 30ns的- >40ns ）的tRC （为50ns - >60ns ）
- tREADID （为35ns ， >45ns ）
1 ）添加勘误表（ 3V产品）
亿千瓦时
规范
宽松价值
0.3
2 ）添加应用程序了。注意
重置必须发出命令时，控制器将数据写入
另外512MB。 （即当A26是在程序中更改。 ）
3 ）修改设备操作的说明
- / CE不在乎启用（禁用） ->顺序行读残疾人
（启用） （第20页）
4 ）添加系统接口的描述使用/ CE不在乎（ 37页）
1 ）删除勘误表
2 ）变化特征
0.4
TCRY
前
后
60 + TR
70 + TR
TREA @ ID读
35
45
六月01. 2004年
初步
15
20
tREH定义
15
20
五月。 14. 2004年
初步
四月29， 2004
初步
历史
草案日期
11月28日2003
三月11， 2004
备注
初步
初步
3）删除缓存计划
0.5
1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸
2 ）编辑TSOP1 ， WSOP1数据包
3 ）改变FBGA封装图
10月20日2004年
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.5 / 2004年10月
1
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
