初步
HY27UF （ 08/16 ） 1G2M系列
HY27SF （ 08/16 ） 1G2M系列
1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存
文档标题
1千兆位（ 128Mx8bit / 64Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
调整
号
0.0
1 ）初步草案。
1 ）阅读后，正确的顺序图10进行循环
2 ）文本添加到图1 ， Table.1 ， Table.2
- 文： IO15 - IO8 （ X16只）
3 ）删除“ 3.2页的程序注释1 。
- 注意：如果可能的话，最好是删除此约束
4 ）更改文本（第10,13 ， 45 ）
- 2.2地址输入： 28地址-> 27个地址
- 3.7复位：图29图30 ->
- 电源后读5.1自动向上翻页：图30图29 ->
5 ）添加5.3解决方案操作&图34
1 ）改变TSOP ， WSOP ， FBGA封装尺寸&数字。
- 改变TSOP ， WSOP ， FBGA封装机械数据
- 更改FBGA厚度（ 1.2 -> 1.0毫米）
2 ）正确的TSOP ， WSOP引脚配置。
- 第38届NC表示已更改Lockpre （图
3,4)
3 ）编辑图15,19 &表4
4 ）添加坏块管理
5 ）更改设备标识符第3个字节
- 第3个字节的ID被改变。 （保留->不在乎）
- 第三字节ID表被删除。
1 ）添加勘误
TCLS
规范
宽松价值
0
5
tclh
10
15
TWP
25
40
TALS
0
5
TALH
10
15
TDS
20
25
TWC
50
60
tR
25
27
历史
草案日期
2004年8月
备注
初步
0.1
2004年9月
初步
0.2
2004年10月
初步
0.3
0.4
2 ） LOCKPRE更改为PRE 。
- 文本，表格，数字发生变化。
3 ）添加备注4 （ table.14 ）
4 ）块锁定机制被删除。
- 文本，表格，数字将被删除。
5 ）加入应用笔记（电源开/关序列&自动睡眠模式。 ）
- 文本&数字相加。
6 ）编辑的数字。 （ ＃ 10 〜 25 ）
1 ）改变AC特性（ tREH定义）
前： 20ns的->后： 30ns的
2 ）编辑注1 （第21页）
3 ）编辑应用笔记1,2
4 ）编辑地址周期图（ X8 ， X16 ）
2004年11月29日
初步
2005年1月19日
初步
修订版0.7 / 2005年4月
1
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
