HY27SS （ 08/16 ） 561M系列
HY27US （ 08/16 ） 561M系列
的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
文档标题
的256Mbit （ 32Mx8bit / 16Mx16bit ）NAND闪存
修订历史
号
0.0
0.1
0.2
最初的草案
重建产品组
追加1.8V操作产品数据表
插入备用启用功能的GND引脚（ ＃ 6 ）
- 如果读或编程， GND引脚的（ ＃ 6 ）应低
或高。
- 更改待机电流参考表13的试验条件。
更改CSP封装的名字&厚度
- 名称： VFBGA -> FBGA
- 厚度： 1.0毫米（最大） -> 1.2毫米（最大）
1 ）删除缓存编程模式
2 ）修改设备操作的说明
- / CE不在乎启用（禁用） ->顺序行读
禁用（启用） （第23页）
1 ）改变尺寸FBGA
:
厚度： 1.2毫米（最大） -> 1.0毫米（最大）
2 ）修改图33的读操作与CE不在乎
1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸
0.6
- 改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA机械数据
- 英寸参数已被排除在机械数据表
1 ）改变TSOP1 ， WSOP1 ， FBGA封装尺寸
2 ）编辑TSOP1 ， WSOP1数据包
3 ）改变FBGA封装图
10月18日2004年
初步
历史
草案日期
七月10， 2003
十二月08 2003
十二月08 2003
备注
初步
初步
初步
0.3
三月08. 2004年
初步
0.4
六月01. 2004年
初步
0.5
九月24， 2004
初步
0.7
10月20日2004年
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任
使用电路的说明。没有专利许可。
修订版0.7 / 2004年10月
1
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
