32Mx64位
无缓冲DDR SDRAM DIMM
HYMD232646B(L)8-M/K/H/L
描述
海力士HYMD232646B (L ), 8 -M / K / H / L系列是无缓冲的184针双数据速率同步DRAM双列直插式
内存模块(DIMM ),该组织为32Mx64高速存储器阵列。力士HYMD232646B (L)的8 -M /
K / H / L系列包括八个32Mx8 DDR SDRAM在400mil TSOP上184PIN玻璃环氧子包二
strate.Hynix HYMD232646B (L)的8-M / K / H / L系列提供一种高性能的8字节接口中5.25"宽度外形
行业标准。它适合于方便的交换和加法。
海力士HYMD232646B (L ), 8 -M / K / H / L系列是专为高达高速的133MHz ,并提供完全同步
操作参考的差分时钟输入的上升沿和下降沿。而所有地址和控制输入
被锁存的时钟,数据,数据选通脉冲的上升沿和写入数据掩码输入的采样上都利培
荷兰国际集团和下降它的边缘。的数据通路内部流水线和2位预取,以达到非常高的带宽。
所有的输入和输出电压值与SSTL_2兼容。高速的频率,可编程延迟和
突发长度可在高性能存储系统的各种设备的操作。
海力士HYMD232646B (L ), 8 -M / K / H / L系列采用SPD(串行存在检测) 。串行存在检测功能
通过串行2048位EEPROM来实现。第128字节的串行数据的PD是由力士编程以识别
DIMM的类型,容量和DIMM的其他信息和最后128个字节是提供给客户。
特点
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256MB ( 32M ×64 )无缓冲DDR DIMM基于
32Mx8 DDR SDRAM
JEDEC标准的184针双列直插内存模组
ULE ( DIMM )
2.5V +/- 0.2V VDD和VDDQ电源
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
全差分时钟操作( CK & / CK )与
100MHz/125MHz/133MHz
所有的地址和控制输入,除了数据,数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
数据( DQ ) ,数据选通信号和写口罩锁存
上升沿和下降沿的时钟的边缘
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在DQS数据输入中心的时候写(居中
DQ )
数据选通脉冲与输出数据的读同步
并写入输入数据
可编程CAS延时2 / 2.5的支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
tRAS的锁定功能的支持
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
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订购信息
产品型号
HYMD232646B(L)8-M
HYMD232646B(L)8-K
HYMD232646B(L)8-H
HYMD232646B(L)8-L
V
DD
=2.5V
V
DDQ
=2.5V
电源
时钟频率
为133MHz ( DDR266 * : 2-2-2 )
133MHz的( * DDR266A )
133MHz的( * DDR266B )
为100MHz ( DDR200 * )
接口
外形
SSTL_2
184PIN DIMM无缓冲
5.25 X 1.25 X 0.15英寸
* JEDEC定义的规格标准
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.2 /十二月02
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