HY27UH08AG （ 5 / D）M系列
的16Gbit （ 2Gx8bit ） NAND闪存
文档标题
的16Gbit （ 2Gx8bit ） NAND闪存
修订历史
调整
号
0.0
最初的草案。
1 ）添加HY27UH08AG5M & HY27UH08AGDM产品。
- 文本&数字相加。
2 ）改变AC特性
tR
前
后
20
25
TCLS
0.1
前
后
12
15
TAR
10
15
TWP
12
15
TDS
12
15
TREA
18
20
TWC
25
30
tRHZ
30
50
tADL
70
100
TCHZ
30
50
激进党
12
15
TCEA
25
35
TRC
25
30
十月08. 2005年
初步
历史
草案日期
九月08. 2005年
备注
初始
3 ）加入tCRRH （ 100纳秒，最小值）
- tCRRH ：缓存读取RE ＃高
4 ）修改第3次读ID
- 第三读取ID改为C1H
- 对设备标识符表第3个字节被添加。
5 ）变更NOP
- 在同一页面部分程序循环数变更为4 。
6 ）删除并发操作。
1 ）改变AC特性
0.2
TREA
前
后
1)
2)
3)
4)
0.3
前
后
修订版0.6 / 2006年12月
TCEA
35
30
TCS
20
25
20
25
11月16日2005年
初步
加入ECC算法。 （ 1位/ 512字节）
变化NOP
正确读取ID命名
改变直流特性的影响
I
CC1
典型值
30
30
最大
60
45
I
CC2
典型值
30
30
最大
60
45
I
CC3
典型值
30
30
最大
60
45
六月20， 2006
初步
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
