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HY27US08561A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY27US08561A
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内容描述: 的256Mbit ( 32Mx8bit / 16Mx16bit )NAND闪存 [256Mbit (32Mx8bit / 16Mx16bit) NAND Flash]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 47 页 / 424 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY27US ( 08/16 ) 561A系列
HY27SS ( 08/16 ) 561A系列
的256Mbit ( 32Mx8bit / 16Mx16bit )NAND闪存
文档标题
的256Mbit ( 32Mx8bit / 16Mx16bit )NAND闪存
修订历史
调整
0.0
最初的草案。
1 )改变AC参数
tCRY(1.8V)
50+tr(R/B#)
60+tr(R/B#)
历史
草案日期
四月04. 2005年
备注
初步
0.1
七月07. 2005年
初步
2 )改变256Mb的封装类型。
- WSOP的包变更为USOP包。
- 图&尺寸被改变。
1)
正确的测试条件( DC特性表)
测试条件(
I
CC1)
测试条件(
I
李,
I
LO
)
VIN = VOUT = 0〜 3.6V
t
RC
=50ns,
CE#
V
IL
,
I
OUT
=0mA
t
RC
(1.8V=60ns,
3.3V=50ns)
CE#
V
IL
,
I
OUT
=0mA
VIN = VOUT = 0到Vcc (最大)
0.2
2)
改变AC条件表
3)
添加TWW参数( TWW = 100ns内,分)
- 文本&数字相加。
- TWW在AC时序特性表增加。
4 )编辑复制返回编程操作步骤
5 )使用CE不在乎图编辑系统接口。
6 )正确的地址周期地图。
7 )更改NOP (表11 )
主阵列
1
2
八月08. 2005年
初步
备用阵列
2
3
修订版0.5 / 2006年6月
1