HY29DL162TT-70I 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY29DL162TT-70I
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内容描述：	16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16）低电压，双组，同步读/写闪存 [16 Megabit (2M x 8/1M x16) Low Voltage, Dual Bank, Simultaneous Read/Write Flash Memory]
分类和应用：	闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小：	48 页 / 548 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY29DL162/HY29DL163

16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16）低电压，

双行，同步读/写闪存

主要特点

单电源工作

−

读取，编程和擦除操作

从2.7到3.6 V

−

非常适合电池供电的应用

同时读/写操作

−

主机系统可以进行编程或擦除一个

银行同时从任何阅读

部门与零延迟其他银行

读取和写入操作之间

高性能

−

70和80 ns访问时间与版本

30pF的负载

−

90和120 ns访问时间与版本

100pF的负载

超低功耗（典型

值）

−

自动睡眠模式电流： 200 nA的

−

待机模式电流： 200 nA的

−

读电流： 10毫安（在5 MHz ）

−

编程/擦除电流： 15毫安

引导块部门架构与39

行业中两家银行的快速的在系统

代码更改

担保行业：一个额外的64字节扇区

可以：

−

工厂锁定和识别： 16个字节

供安全的，随机出厂

编程的电子序列号

−

客户可锁定：可以读取，编程

MED ，或擦除就像其他行业

灵活的部门架构

−

扇区保护允许的锁定

一个或多个扇区，以防止程序或

该部门擦除操作

−

临时机构撤消允许

改变锁业（要求高

电压RESET ＃引脚）

自动擦除算法擦除任何

部门的组合或整个芯片

自动程序算法和写入

在指定地址的数据验证

符合通用闪存

接口（ CFI ）规格

每个部门最少10万次擦写循环

（1,000,000次典型）

兼容JEDEC标准

−

脚分布和软件兼容

单电源闪存器件

−

高级无意写保护

数据＃查询和翻转位

−

提供完成软件确认

编程或擦除操作

就绪/忙＃引脚

−

提供硬件确认

编程或擦除操作完成

擦除挂起

−

暂停擦除操作，使

编程数据到或者从读取数据

在同一行的扇区

−

删除恢复就可以调用来

完成擦除暂停

硬件复位引脚（ RESET ＃）复位

设备读取阵列数据

WP ＃ / ACC输入引脚

−

写保护（ WP ＃）功能允许

两个最外层的引导硬件保护

行业，无论行业的保护状态

−

加速（ ACC ）功能提供

加速计划时间

快速编程和擦除时间

−

扇区擦除时间： 0.5秒典型

−

利用字节/字编程时间

加速功能： 10 μs的典型

节省空间的封装

−

48引脚TSOP和48球FBGA封装

逻辑图

A[19:0]

DQ [7：0 ]

CE＃

OE ＃

WE＃

RESET＃

BYTE ＃

DQ [14： 8]

DQ[15]/A[-1]

WP ＃ / ACC

RY / BY ＃

初步

版本1.3 ， 2001年6月

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