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HY29F002TC-90 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY29F002TC-90
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内容描述: 2兆位( 256K ×8 ) , 5伏只,闪存 [2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 38 页 / 381 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29F002T
2兆位( 256K ×8 ) , 5伏只,闪存
主要特点
n
5伏读取,编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
n
高性能
- 存取时间快45纳秒
n
低功耗
- 20毫安典型的读操作工作电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 1 μA典型的CMOS待机电流
n
兼容JEDEC标准
- 封装,引脚排列和命令集
与单电源闪存兼容
设备标准
- 提供卓越的意外写
保护
n
扇区擦除架构
- 引导扇区架构与顶级启动
块位置
- 一个16字节, 2字节8 , 1个32字节
三64K字节的扇区
- 命令可以删除任意组合
扇区
- 支持整片擦除
n
擦除挂起/恢复
- 临时挂起一个扇区擦除
操作,以允许将数据从读出,或
编入,任何部门不作为
删除
概述
该HY29F002T是2兆, 5伏,只
CMOS闪存存储器,为262,144
( 256K )字节。该器件采用业界
标准的32引脚TSOP和PLCC封装。
该HY29F002T可以编程和擦除
在系统与单5伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作,以便
该设备不需要一个高电压功率
供应来执行这些功能。该设备可以
同时在标准EPROM编程亲
程序员。存取时间快55ns比
5.0伏± 10 %,整个工作电压范围是
供与零等待时间的兼容性
高速微处理器状态的要求。
一个为45nS版本工作在5.0伏± 5%
也可提供。为了消除总线冲突,
18
A[17:0]
RESET#
CE#
OE #
WE#
DQ [7:0 ]
8
n
扇区保护
- 任何部门的组合可能是
锁定,以防止编程或擦除
这些部门中的操作
n
临时机构撤消
- 允许改变锁业
(需要在RESET #引脚为高电平电压)
n
内部擦除算法
- 自动删除一个部门,任何
组合扇区或整个芯片
n
内部编程算法
- 自动编程和校验数据
在一个指定的地址
n
快速编程和擦除时间
- 字节编程时间: 7 μs的典型
- 扇区擦除时间: 1.0秒典型
- 芯片擦除时间: 7秒典型
n
数据#投票和切换状态位
- 提供软件确认
编程或擦除完毕
操作
n
最低100,000编程/擦除周期
n
节省空间的封装
- 提供行业标准的32针
TSOP和PLCC封装
逻辑图
版本4.1 , 2001年5月