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    HY29F002TC-90 参数 Datasheet PDF下载

    HY29F002TC-90图片预览
    型号： HY29F002TC-90
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 2兆位（ 256K ×8 ） ， 5伏只，闪存 [2 Megabit (256K x 8), 5 Volt-only, Flash Memory]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 38 页 / 381 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第11页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第13页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第14页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第15页浏览型号HY29F002TC-90的Datasheet PDF文件第16页  
    HY29F002T
    开始
    开始
    发行计划
    命令序列：
    最后一个周期包含
    项目地址/数据
    问题芯片擦除
    命令序列
    检查程序状态
    （见写操作状态
    部分）
    正常退出
    DQ [5]出错退出
    检查擦除状态
    （见写操作状态
    部分）
    正常退出
    DQ [5]出错退出
    芯片擦除COMPLETE
    NO
    最后一个字/字节
    做了什么？
    到
    错误恢复
    是的
    程序设计
    完整
    到
    错误恢复
    图5.芯片擦除程序
    雷擦除操作的状态，如DE-
    刻划在写操作状态部分。
    图5示出了芯片擦除过程。
    扇区擦除命令
    扇区擦除命令序列由
    两个解锁周期，接着擦除的COM
    命令，两个附加的解锁周期，然后将
    扇区擦除数据周期，指定哪个
    扇区被擦除。如在此以后描述
    部分，多个部门可以为era-指定
    请务必使用一个命令序列。中
    扇区擦除，所有指定扇区SE-删除
    quentially 。不指定扇区的数据
    擦除，以及在受保护的节的数据
    擦除指定器，不会受到该
    扇区擦除操作。
    扇区擦除命令序列的开始
    自动擦除算法， preprograms
    并验证指定的无保护的部门
    前电擦除一个全零的数据模式。
    该装置然后提供所需数量的
    内部产生的擦除脉冲和验证细胞
    正确的单元格边距内删除。主人
    系统不需要提供任何控制或
    在这些操作期间定时。
    扇区擦除数据周期（第六巴士后
    命令序列的周期）发出后，一个仲
    器清除超时50微秒（最小）的测量
    从最终WE＃脉冲在该上升沿
    总线周期开始。在此期间，附加的
    扇区擦除数据周期，指定部门AD-
    要擦除的另一个部门的礼服，可令状
    10到内部扇区擦除缓存。此缓冲区
    修订版4.1 / 5月1日
    图4.编程步骤
    这种状态下，和后面的读取将表明
    中的数据仍然为“0” 。
    图4示出了用于本程序的程序
    操作。
    芯片擦除命令
    芯片擦除命令序列由
    两个解锁周期，接着擦除命令，
    另外两个解锁周期，然后在芯片擦除
    数据周期。的过程中芯片擦除，所有部门
    设备被删除，除了保护部门。该
    命令序列启动自动擦除AL-
    gorithm ，这preprograms并验证整个
    记忆，除了受保护的行业，为全零
    之前的电擦除的数据模式。该装置
    然后提供了内部的所需数量的
    产生的擦除脉冲和验证细胞擦除
    在适当的单元格边距。主机系统
    不需要提供任何控制或定时很好地协同
    荷兰国际集团这些操作。
    执行期间写入设备的命令
    自动擦除算法被忽略。记
    一个硬件复位立即终止
    擦除操作。为了保证数据的完整性，
    流产芯片擦除命令序列应该是
    重新发出一次复位操作完成。
    当自动擦除算法结束时，
    该设备返回到读取模式。几个
    提供的方法，以允许主机以确定
    12

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