HY29F040A系列
512K ×8位CMOS 5.0伏只，扇区擦除闪存
主要特点
·
5.0 V± 10 ％读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
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高性能
-
55 ns访问时间
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兼容JEDEC标准的命令
- 使用软件命令，引脚和
以下为行业标准包装
单电源闪存
·
最低100,000编程/擦除周期
·
扇区擦除架构
- 64K的八个大小相同部门的每个字节
- 任何部门的结合可以被删除
同时，还支持整片擦除
·
擦除挂起/恢复
- 挂起扇区擦除操作允许
数据读取或编程的一个部门不
在同一设备内被擦除
·
内部擦除算法
- 自动擦除扇区，任意组合
扇区或整个芯片的
·
内部编程算法
- 自动程序并在验证数据
指定的地址。
·
低功耗
- 最大40mA有效的读电流
- 60 mA（最大值）编程/擦除电流
- 5
mA
最大待机电流
·
扇区保护
- 硬件方法禁用任意组合
从编程或擦除操作部门
描述
该HY29F040A是4兆， 5.0伏的CMOS只
闪存设备组织成一个512K字节
每个8位。该器件采用标准
32引脚PDIP ， 32引脚PLCC和32引脚TSOP封装
老少皆宜。它被设计成被编程和
擦除在系统具有5.0伏电源和
也可以在标准的PROM重新编程
程序员。
该HY29F040A提供55纳秒， 70次访问
NS， NS 90 ， 120纳秒和150纳秒。该装置具有另行
利率芯片使能（ / CE ） ，写使能（ / WE）和输出
把使能（ / OE ）控制。韩国现代闪存
设备可靠地存储，即使存储数据
100,000编程/擦除周期。
该HY29F040A完全是引脚和指令集
与4兆的JEDEC标准兼容
位的闪存设备。该命令令状
10到命令寄存器使用标准微处理器的
处理器的写时序。寄存器的内容作为
输入到一个内部状态机，它控制
擦除和编程电路。写周期
内部也需要锁存地址和数据
对于编程和擦除操作。
该HY29F040A通过执行编程
程序命令序列。这将启动
内部字节编程算法
自动时间的编程脉冲宽度和
也验证了适当的细胞保证金。擦除是
通过执行扇区擦除或完成
芯片擦除命令序列。这将启动
内部擦除算法，自动倍
擦除脉冲宽度，也验证了适当的
电池余量。没有预编程之前进行所需的
执行内部擦除算法。行业
该HY29F040A闪存阵列是electri-
通过福勒- Nordheim隧穿美云擦除。字节
被编程的一个字节的时间，使用热
电子注入机制。
该HY29F040A设有一个扇区擦除架构。
设备存储器阵列被分成8个扇区的
64K字节的每一个。该部门可擦除indi-
vidually或成组而不影响数据
其他行业。多扇区擦除和全
芯片擦除功能，增加了灵活性，以改变
在该装置的数据。保护数据的设备
意外编程和擦除，设备
还具有扇区保护功能。此功能
硬件写保护的选定行业。部门
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.03/Aug.97
韩国现代半导体公司
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
