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HY29F040AT-90 参数 Datasheet PDF下载

HY29F040AT-90图片预览
型号: HY29F040AT-90
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内容描述: 512K ×8位CMOS 5.0伏只,扇区擦除闪存 [512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管ISM频段
文件页数/大小: 40 页 / 284 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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输出禁止模式
与处于逻辑高电平的/ OE输入(Ⅴ
IH
) ,输出
从设备被禁用。这将导致
输出引脚为高阻抗状态。这是
表1显示/ CE = V示
IL
和/ WE = V
IH
输出禁用。这是为了区分输出显示
从写模式,并能预防模式
在输出禁止疏忽造成写道。
模式,禁用这两个编程和擦除
操作保护部门。在该装置中有
是8个扇区的每个64K字节。该部门保护
特点是使用编程设备启用
在用户的站点。该装置从运
现代汽车的工厂与各界人士保护。
要激活该部门保护模式,用户
必须强制V
ID
在地址引脚A9和控制引脚/
OE 。扇区地址( A18 , A17和A16 )
应该被设置为扇区被保护(见
表3对于扇区地址每个8的
个别行业) 。该保护的程序
化的电路上开始的下降沿/ WE脉
并终止于的上升沿
/ WE 。扇区地址过程中必须保持固定
在/ WE脉冲。
为了验证该保护电路的设计,
编程设备必须强制V
ID
地址引脚与A9 / CE和/ OE在V
IL
/我们在V
IH
。如表2所示,在扫描
扇区地址( A18 , A17和A16 ),而( A6 ,
A1和A0 )=( 0 ,1,0 ),将产生一个01H的代码在
该器件的输出引脚为受保护的行业。在
验证部门保护模式下,设备将读取
00H对未受保护的部门。在这种模式下,
低位地址,除了A0,A1和A6,
都不在乎。与A1 = V地址位置
IL
预留的电子ID制造商和脱离
副码。但也可以,以确定是否
部门通过写Elec-保护的系统
tronic的ID命令(在电子描述
下面ID命令部分)。
写模式
器件编程和擦除都完成
通过命令寄存器。该稳压的内容
存器作为输入到内部状态机。
状态机的输出决定的函数
该装置。
命令寄存器本身不占用任何
可寻址的存储器位置。该寄存器是一个
锁存器用于存储指令一起
执行需要的地址和数据信息
该命令。命令寄存器写入
通过将/ WE为V
IL
,而/ CE是在V
IL
和/ OE
是V
IH
。地址锁存下降沿
中/ WE或/ CE ,以较迟者为准情况,而数据
被锁存/ WE或/ CE ,上升沿,而─
没发生过第一次。标准的微处理器
写定时被使用。请参见AC Characteris-
抽动的编程/擦除和它们各自的
时序波形为特定的时序参数。
使部门保护和验证
部门保护模式
该HY29F040A有一个硬件部门保护
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HY29F040A