HY29F080
8兆位（ 1M ×8 ） ， 5伏只，闪存
主要特点
n
5伏读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗
需求
n
高性能
- 存取时间快70纳秒
n
低功耗
- 24 mA典型有效的读电流
- 30毫安典型的编程/擦除电流
- 5 μA最大的CMOS待机电流
n
兼容JEDEC标准
- 封装，引脚排列和命令集
与单电源闪存兼容
设备标准
- 提供卓越的意外写
保护
n
扇区擦除架构
- 64K字节十六个大小相等的行业
每
- 命令可以删除任意组合
扇区
- 支持整片擦除
n
擦除挂起/恢复
- 临时挂起一个扇区擦除
操作，以允许将数据从读出，或
编入，任何部门不作为
删除
n
行业组保护
- 扇区可被锁定在两个组
防止编程或擦除操作
该部门组内
n
临时机构撤消
- 允许改变锁业
（需要在RESET ＃引脚为高电平电压）
n
内部擦除算法
- 自动删除一个部门，任何
组合扇区或整个芯片
n
内部编程算法
- 自动编程和校验数据
在一个指定的地址
n
快速编程和擦除时间
- 字节编程时间： 7 μs的典型
- 扇区擦除时间： 1.0秒典型
- 芯片擦除时间： 16秒典型
n
数据＃投票和切换状态位
- 提供软件确认
编程或擦除完毕
操作
n
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
n
最低100,000编程/擦除周期
n
节省空间的封装
- 提供业界标准40针
TSOP和44引脚PSOP封装
逻辑图
概述
该HY29F080是8兆， 5伏的CMOS只
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
的每个8比特。该器件采用行业
尝试标准的44引脚PSOP和40引脚TSOP封装
老少皆宜。
该HY29F080可以编程和擦除
在系统与单5伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不需要一个高电压功率
供应来执行这些功能。该设备可以
同时在标准EPROM编程亲
程序员。访问时间以最快的速度为70ns比
5.0伏± 10 ％，整个工作电压范围是
供与零等待时间的兼容性
高速微处理器状态的要求。
版本6.1 ， 2001年5月
20
A[19:0]
RESET＃
RY / BY ＃
CE＃
OE ＃
WE＃
DQ [7：0 ]
8
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
