HY29F400BG90 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY29F400BG90
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内容描述：	4兆位（ 512Kx8 / 256Kx16 ） 5伏只快闪记忆体 [4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory]
分类和应用：
文件页数/大小：	40 页 / 508 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY29F400

这些OP-期间提供任何控制或定时

操作。

执行期间写入设备的命令

自动擦除算法被忽略。记

一个硬件复位立即终止

擦除操作。为了保证数据的完整性，

流产芯片擦除命令序列应该

补发一次复位操作完成。

当自动擦除算法结束时，

该设备返回到读取模式。几个

提供的方法，以允许主机以确定

雷擦除操作的状态，如DE-

刻划在写操作状态部分。

图5示出了芯片擦除过程。

扇区擦除命令

扇区擦除命令序列由

两个解锁周期，接着擦除的COM

命令，两个附加的解锁周期，然后将

扇区擦除数据周期，指定哪个

扇区被擦除。如在此以后描述

部分，多个部门可以为era-指定

请务必使用一个命令序列。中

扇区擦除，所有指定扇区SE-删除

quentially 。不指定扇区的数据

擦除，以及在任何被保护secto-数据

RS ，则即使指定了删除，不影响─

由扇区擦除操作编

扇区擦除命令序列的开始

自动擦除算法， preprograms

并验证指定的无保护的部门

前电擦除一个全零的数据模式。

该装置然后提供所需数量的

内部产生的擦除脉冲和验证细胞

正确的单元格边距内删除。主人

系统不需要提供任何控制或

在这些操作期间定时。

扇区擦除数据周期（第六巴士后

命令序列的周期）发出后，一个仲

擦除器50微秒的时间了，从实测

上涨的最后WE ＃脉冲边缘的总线周期，

开始。在此期间，附加的扇区擦除

数据周期，指定的扇区地址AN-

其它扇区被擦除，可写入的

内部扇区擦除缓存。此缓冲液可以是

以任何顺序装入，以及仲数

指定器可以是从一个扇区到所有节

器。唯一的限制是，之间的时间

这些附加的数据的周期必须小于50

微秒，否则可能会删除之前的最后一个开始

数据周期被接受。以确保所有的数据

循环被接受，则建议主机

处理器中断的时间期间被禁用

该额外的周期被发出，然后

重新启用之后。

注意：

该设备能够接受三种方式的

调用擦除命令的附加行业

在超时时段。在优选方法中，

如上所述，为以后的扇区擦除数据周期

最初的6总线周期的命令序列。不过，

该设备还可以接受的以下方法

扇区擦除过程中指定的其他部门

超时：

重复整个六周期的命令序列，

指定在第六周期的附加扇区。

重复6冲程命令的最后3个周期

序，在所述第三指定附加的扇区

周期。

开始

问题芯片擦除

命令序列

如果预定擦除所有部门的保护，

该设备返回后AP-读阵列数据

近因100微秒。如果至少有一个预定的仲

器是不受保护的，擦除操作将擦除

未受保护的部门，而忽略命令

对于受保护计划部门。

该系统可以监测的DQ [3] ，以确定是否

50微秒扇区擦除超时已过期，如DE-

刻划在写操作状态部分。如果

更多的扇区擦除数据之间的时间

周期可以投保为小于所述时

出，该系统不需要监控DQ [ 3 ] 。

任何命令比扇区擦除或擦除等

暂停期间的超时时间重置

设备读取阵列的数据。系统必须

然后重写命令序列，包括任何

检查擦除状态

（见写操作状态

部分）

正常退出

DQ [5]出错退出

芯片擦除COMPLETE

到

错误恢复

图5.芯片擦除程序

修订版5.2 / 5月1日

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