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HY29F400BG90 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY29F400BG90
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内容描述: 4兆位( 512Kx8 / 256Kx16 ) 5伏只快闪记忆体 [4 Megabit (512Kx8/256Kx16) 5 Volt-only Flash Memory]
分类和应用:
文件页数/大小: 40 页 / 508 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29F400
如果RESET #是在编程或擦除断言
操作时, RY / BY #引脚保持为低电平(忙),直到
内部复位操作完成时,该重新
描述查询吨的时间
准备
(在自动Algo-
rithms ) 。因此,该系统可以监控RY / BY #为
判断复位操作完成时,
并且可以执行一个读或写操作吨
RB
RY / BY #变为高电平。如果RESET #是断言时,
编程或擦除操作不被执行(RY /
BY#引脚为高电平) ,复位操作完成
吨的时间内
RP
。在这种情况下,主机可以进行有
形成一个读或写操作吨
RH
在RE-后
SET #引脚为高电平。
在RESET #引脚可以连接到系统复位
信号。因此,一个系统复位也将复位
设备,使系统能够读取开机
固件从闪存中。
部门保护/撤消操作
硬件部门的保护可以被调用以显示
能程序和在任何单个擦除操作
部门或行业的结合。这个功能是
通常用于保护设备中的数据,从
未经授权或意外的尝试计划
或擦除设备,而它是在系统(如
由病毒),用编程来实现
明装。部门解除保护重新启用
在以前的编程和擦除操作
受保护的行业。
表1列出了十一个部门和用户管理员
礼服系列,每涵盖的两个版本
该设备。该设备出厂时所有部门
不受保护的。
该部门保护/撤消操作要求
高电压(V
ID
)地址引脚A [ 9 ]和CE #上
和/或OE #控制引脚,在表3中详细说明。
当执行这些操作,请注意
V
CC
必须被施加到器件上施加前
V
ID
以及使V
ID
之前可以拆卸,应拆除
ING V
CC
从设备。
在图1的流程图说明了proce-
杜热保护部门和时序规范
tions和波形如图中的说明
本文档的部分列出。亲验证
如在Elec-描述tection完成
tronic的ID模式部分和在流程图中示出。
开始
等待牛逼
W¯¯ P P 1
一个P P L Y诉
CC
宽E # = V
IH
A [ 9 ] = V
ID
A [ 17:12 ] =部门保护
OE # = CE # = V
IL
A [ 6 ] = A [ 0 ] = V
IL
, A [ 1 ] = V
IH
读数据
设A [ 9 ] = OE # = V
ID
NO
NO
设置TRYCNT = 1
增量TRYCNT
数据= 0×01 ?
设置地址:
A [ 17:12 ] =部门保护
CE# = V
IL
- [R (E S) (E T) # = V
IH
TRYCNT = 25 ?
是的
是的
ř ê米0伏ê V
ID
从A [ 9 ]
宽E # = V
IL
保护其他
行业?
NO
部门保护
完整
设备故障
是的
图1.行业保护程序
8
修订版5.2 / 5月1日