HY29F800
8兆位（ 1Mx8 / 512Kx16 ） ， 5伏只，闪存
主要特点
n
5伏读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
n
高性能
- 存取时间快55纳秒
n
低功耗
- 20毫安典型活跃在字节读取电流
模式， 28毫安典型字模式
- 56 mA典型编程/擦除电流
- 5 μA最大的CMOS待机电流
n
兼容JEDEC标准
- 封装，引脚排列和命令集
与单电源闪存兼容
设备标准
- 提供卓越的意外写
保护
n
扇区擦除架构
- 引导扇区架构，顶部和
提供底部引导块选项
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节
和15 64字节扇区的字节模式
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32 K字中字模式行业
- 命令可以删除任意组合
扇区
- 支持整片擦除
n
擦除挂起/恢复
- 临时挂起一个扇区擦除
操作，以允许将数据从读出，或
编入，任何部门不作为
删除
概述
该HY29F800是8兆， 5伏的CMOS只
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
或524,288 （ 512K ）字样。该器件采用
业界标准的44引脚PSOP和48引脚TSOP
包。
该HY29F800可以编程和擦除
在系统与单5伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不需要一个高电压功率
供应来执行这些功能。该设备可以
同时在标准EPROM编程亲
程序员。存取时间快70纳秒过
5.0伏的整个工作电压范围为± 10 ％
供时序与零的兼容性
等到高速状态下的要求微处理器的
修订版4.2 2001年5月
n
扇区保护
- 任何部门的组合可能是
锁定，以防止编程或擦除
这些部门中的操作
n
临时机构撤消
- 允许改变锁业
（需要在RESET ＃引脚为高电平电压）
n
内部擦除算法
- 自动删除一个部门，任何
组合扇区或整个芯片
n
内部编程算法
- 自动编程和校验数据
在一个指定的地址
n
快速编程和擦除时间
- 字节编程时间： 7 μs的典型
- 扇区擦除时间： 1.0秒典型
- 芯片擦除时间： 19秒典型
n
数据＃投票和切换状态位
- 提供软件确认
编程或擦除完毕
操作
n
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
n
最低100,000编程/擦除周期
n
节省空间的封装
- 提供业界标准44针
PSOP和48引脚TSOP和反
TSOP封装
逻辑图
19
A[18:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A-1
8
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
