HY29LV160
16兆位（ 2M ×8 / 1M ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70 ， 80 ， 90和120 ns访问时间
版本
超低功耗（典型
在5MHz的值）
- 自动休眠模式电流： 1 μA
- 待机模式电流： 1 μA
- 读电流： 9毫安
- 编程/擦除电流：20mA
灵活的部门架构：
- 一个16 KB ， 2个8 KB ， 1个32 KB和
在字节模式31 64 KB的行业
- 一个8千瓦， 2个4千瓦， 1个16千瓦，
在字模式31 32 KW行业
- 顶部或底部启动块配置
可用的
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 部门可锁定在系统或通过
编程设备
- 临时机构撤消允许
改变锁业（要求高
电压RESET ＃引脚）
快速编程和擦除时间
- 扇区擦除时间： 0.25秒典型
各部门
- 芯片擦除时间： 8秒典型
- 字节编程时间： 9
µs
典型
解锁绕道程序命令
- 发行时减少编程时间
多个程序的命令序列
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
n
每个部门最少10万次擦写循环
n
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙＃引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
- 闪存设备参数直接保存
在设备上
- 允许软件驱动程序识别和使用
各种不同的当前和未来的
闪存产品
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
节省空间的封装
- 48引脚TSOP和48球FBGA封装
n
n
n
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n
n
n
n
n
n
逻辑图
20
A[19:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
DQ [14： 8]
DQ15/A-1
RY / BY ＃
8
n
n
n
n
初步
1.2版2001年5月
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
