HY29LV160
概述
该HY29LV160是16兆， 3伏只， CMOS
组织为2,097,152 （ 2M ）字节Flash存储器
或1,048,576 （1M）的话可用在48-
引脚TSOP和48球FBGA封装。字处理
范围内的数据（ ×16）上出现的DQ [15：0 ]和字节的
宽的（x8）数据出现在DQ [7：0 ] 。
该HY29LV160可以编程和擦除
在系统用一个3伏V
CC
供应量。之间
应受产生稳压电压亲
vided用于编程和擦除操作，以便
该设备不要求较高的电压V
PP
电源来执行这些功能。 DE-的
副也可以在标准EPROM编程
程序员。存取时间低至80 ns的过
在整个工作电压范围为2.7 - 3.6伏特，
和70纳秒为3.0有限的电压范围 - 3.6
伏，供时序与兼容性
高速零等待状态的要求MI-
croprocessors 。为了消除总线冲突，
HY29LV160有独立的芯片使能（ CE ＃ ），写
使能（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令设置标
准。命令被写入命令稳压
存器采用标准的微处理器写时序。
然后将它们发送到一个内部状态机
控制擦除和编程电路。
器件编程在执行字节/字
一时间通过执行四循环程序的COM
命令写序。这将启动一个内部AL-
gorithm自动倍的编程脉冲
宽度和验证适当的细胞保证金。快亲
编程时间可以通过将实现
HY29LV160在解锁绕道模式，
只需要两个写周期编程数据IN-
代替四。
该HY29LV160的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除是通过启动
执行擦除命令序列。这
该自动启动一个内部算法
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。
由于在编程周期，设备自动
matically次擦除脉冲宽度和veri-
外商投资企业适当的细胞保证金。硬件部门保护
化选择性禁用这两个编程和擦除
在该领域的任何组合操作
2
所述存储器阵列，而临时机构非
保护允许在系统擦除和代码
改变以前受保护的行业。抹去
挂起使用户能够把擦除搁置
任何一段时间内读取，或程序数据
未选择era-数据，任何扇区
肯定。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）或DQ [6] （切换）状态位。硬
洁具的数据保护措施，包括低V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在上电期间的过渡。
经过编程或擦除周期一直的COM
pleted ，或者RESET ＃引脚断言（后
终止任何正在进行的操作） ，该设备
准备读数据或接受其它的COM
命令。读数据从器件中是类似
读取其他闪存或EPROM器件。
两个省电功能都体现在
HY29LV160 。当地址已经稳定
对于一个指定的时间量时，器件进入
自动休眠模式。主机也可以将
该器件进入待机模式。功率消耗
灰是在这两种方式中大大降低。
通用闪存接口（ CFI ）
为了使闪存互换和
鼓励采用新的Flash技术，
主要的闪存供应商开发一个灵活，
识别闪存大小IBLE方法
配置中，所有必要的闪存设备
参数直接在设备上存储。
存储的参数包括内存大小，字节/字
配置，行业配置，必要的电压
年龄和时间的信息。这允许一组
软件驱动器的识别和使用的各种
不同的当前和未来的闪存产品。该
标准，它详细介绍了软件界面必要请
埃森访问该设备，以确定它与以
确定它的特点是通用闪存
存储器接口（ CFI ）规格。该
HY29LV160完全符合本说明书中。
修订版1.2 / 5月1日
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
