HY29LV320
32兆位（ 2M ×16 ）低电压闪存
主要特点
n
单电源工作
- 读取，编程和擦除操作，从
2.7到3.6伏
- 非常适合电池供电的应用
高性能
- 70 ， 80 ， 90和120 ns访问时间
版本全电压范围操作
超低功耗（典型的/
最大值）
- 自动休眠/待机电流： 0.5 / 5.0
µA
- 读取当前： 9/16毫安（ @ 5 MHz的）
- 编程/擦除电流： 20/30毫安
顶部和底部引导块版本
- 提供1个8千瓦， 2个4千瓦， 1千瓦16
和63 32 KW行业
担保行业
- 一个额外的128字，工厂可锁定
扇区可用于电子序列
号和/或附加的固定数据
扇区保护
- 允许一个部门或部门的锁
防止编程或擦除操作
该部门内
- 临时机构撤消允许
改变锁业
快速编程和擦除时间（标准结构）
- 扇区擦除时间：每0.5秒部门
- 芯片擦除时间： 32秒
- Word程序时间： 11
µs
- 每个字速成课程时间： 7
µs
自动擦除算法Preprograms
和擦除扇区的任意组合
或整个芯片
自动程序算法和写入
在指定地址的数据验证
符合通用闪存
接口（ CFI ）规格
- 闪存设备参数直接保存
在设备上
- 允许软件驱动程序识别和使用
各种当前和未来的闪存产品的
每个部门最少10万次擦写循环
n
兼容JEDEC标准
- 引脚和软件兼容
单电源闪存器件
- 高级无意写保护
数据＃查询和翻转位
- 提供软件确认
编程和擦除完毕
操作
就绪/忙（ RY / BY ＃ ）引脚
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
写保护功能（ WP ＃ / ACC PIN）
−
允许第一的硬件保护或
最后32千瓦的数组，而不管扇区的
保护状态
加速功能（ WP ＃ / ACC PIN）
−
提供节目加速时间
擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作，使
从或编程数据读出的数据
到，一个没有被擦除扇区
- 擦除恢复可以被调用来
完全擦除暂停
硬件复位引脚（ RESET ＃ ）复位
设备读取阵列数据
节省空间的封装
- 48引脚TSOP和63球FBGA封装
n
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n
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n
n
n
n
n
逻辑图
n
n
n
21
A[20:0]
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
WP ＃ / ACC
RY / BY ＃
DQ [15：0 ]
16
n
1.3修订版2002年5月
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
