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HY29LV320TT-90I 参数 Datasheet PDF下载

HY29LV320TT-90I图片预览
型号: HY29LV320TT-90I
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内容描述: 32兆位( 2M ×16 )低电压闪存 [32 Mbit (2M x 16) Low Voltage Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 44 页 / 322 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY29LV320
信号说明
名字
A[20:0]
DQ [15:0 ]
权证#
TYPE
输入
描述
地址,高电平有效。
这21个输入选择的2,097,152 ( 2M )的词汇之一
的阵列,用于读或写操作中。
输入/输出
数据总线,高电平有效
。这些引脚提供一个16位的数据路径,读取和
三州
写操作。
芯片使能,低电平有效。
该输入必须置读取数据或
输入
WRI TE数据的HY29LV320 。当GH嗨,数据总线I S三-stated和
装置被置于待机模式。
输出使能,低电平有效
。这个输入必须置为读操作
输入
和否定的写操作。当从设备的高,数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R ITE简体A,B文件,一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofco MMA届sorco MMA次
输入
序列对各个设备的操作。写操作发生时,
WE#是断言,而CE #还低和OE #为高电平。
hardw是复位,低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29LV320到读阵列状态。当设备被立即复位,它
输入
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态,所有的读/写
命令会被忽略,而输入为有效。当RESET #是断言
该设备将处于待机模式。
ř Ë A D Y / B美Ÿ的TA恩秒。
工业ICA释磨片的RA WRI TE矿岭山高MMA届ISIN
产量
进展或已经完成。有效后,最后WE#上升沿
漏极开路P ulse华氏度共同MMA届SE Q UE NCE 。回复马我纳秒L嗷嗷WHI的乐德六CE ISA CTI已经LY
编程数据或擦除,并且变高,当它准备好读取阵列的数据。
写保护,低电平有效/加速(V
HH
).
把该引脚在V
IL
禁止在顶部或底部编程和擦除操作
3 2千禾R D所S 0 f显示一个R R A Y 。在一个FFE科特统计暨普查局到rsaresec到RS秒0 - 第3 FO R上的
HY29LV320B和行业S63 - S66的HY29LV320T 。
如果该引脚被放置在V
IH
,这两个部门的保护状态已恢复
他们是否最后一集被保护或不受保护的使用类别组
保护和HY29LV320的unprotection的能力。
如果V
HH
isapp李教署THI SI NP UT ,去六中东欧NTE RS的Unlo CK B YP屁股谟德,
输入
暂时取消保护所有受保护的部门,并采用较高的电压上
针,以减少所需的编程操作的时间。 (该系统随后会
使用这两个轮车P RO克RA米共MMA届SE Q UE NCE为重Q UI重新DBY的Unlo CK
B YP一个S S小莫D E 。 )再莫六Ng诉
HH
来回米的引脚重新变成了德六CE没有RMA升
操作。
该引脚必须不能在V
HH
对于操作不是加速程序等,
或设备损坏可能导致。离开引脚悬空或悬空,可能会导致
在不一致的装置的操作。
高投入。
连接到V
IH
或V
CC
提供类似X8 / X16兼容
输入
设备。
3伏(标称值)的电源。
--
--
POW ER和信号地。
OE #
WE#
RESET#
RY / BY #
WP # / ACC
V
IH
V
CC
V
SS
4
R1.3 / 5月2日