HY51V(S)65163HG/HGL
4M X 16Bit的EDO DRAM
初步
描述
这家风是一个64Mbit的动态RAM举办了扩展数据4,194,304 X 16bit的输出配置
模式CMOS DRAM的。扩展数据输出模式是一种页面模式的读操作是非常有用
化。先进的电路和工艺使该器件实现了高性能和低功耗耗散
而不能使。特点是存取时间（为45nS或为50ns ）和刷新周期（ 4K REF）和功耗（正常
或具有自刷新低功率）。
先进的CMOS工艺和电路技术的广泛的运营利润率允许此设备
实现高速存取和高可靠性
特点
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扩展数据输出操作
读 - 修改 - 写功能
多位并行测试能力
LVTTL （ 3.3V ）兼容的输入和输出
/ RAS只， CAS先接后/ RAS ，隐藏和自我
刷新（L-版本）的能力
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JEDEC标准引脚
50PIN塑料SOJ / TSOP - II （ 400mil ）
的3.3V +/- 10 ％单电源供电
备用电池的操作（L-版本）
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快速的访问时间和周期时间
部件号
HY51V(S)65163HG/HGL-45
HY51V(S)65163HG/HGL-5
HY51V(S)65163HG/HGL-6
TRAC
45ns
50ns
60ns
TAA
23ns
25ns
30ns
大隘社
12ns
13ns
15ns
TRC
74ns
84ns
104ns
THPC
17ns
20ns
25ns
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功耗
45ns
活跃
待机
468mW
50ns
432mW
60ns
396mW
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刷新周期
部件号
HY51V65163HG*
HY51V65163HGL*
REF
4K参考
4K参考
正常
64ms
128ms
L-部分
1.8MW （ CMOS电平最大值）
0.72mW （L -版本：最大）
* ： / RAS只， CBR和隐藏刷新
ODERING信息
产品型号
HY51V(S)65163HG/HG(L)J-45
HY51V(S)65163HG/HG(L)J-5
HY51V(S)65163HG/HG(L)J-6
HY51V(S)65163HG/HG(L)T-45
HY51V(S)65163HG/HG(L)T-5
HY51V(S)65163HG/HG(L)T-6
（S ） ：自刷新，
（ L） ：低功耗
存取时间
45ns
50ns
60ns
45ns
50ns
60ns
包
400mil SOJ 50PIN
400mil 50PIN TSOP -II
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
Rev.0.1/Apr.01
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
