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HY57V281620ALT-H 参数 Datasheet PDF下载

HY57V281620ALT-H图片预览
型号: HY57V281620ALT-H
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内容描述: 4银行x 2米X 16位同步DRAM [4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 97 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V281620A
4银行x 2米X 16位同步DRAM
描述
海力士HY57V281620A是134,217,728bit CMOS同步DRAM ,非常适合主存储应用场合
需要大的存储密度和高带宽。 HY57V281620A组织为2,097,152x16的4banks
HY57V281620A是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有输入和输出都是同步的
认列与时钟输入的上升沿。的数据通路内部流水线,以达到非常高的带宽。所有的输入和输出
电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写启动周期
由一个单一的控制命令(突发长度的1,2,4,8 ,或整页),以及脉冲串计数序列(顺序或交错) 。一阵
读或写周期的进展可以由脉冲串被终止终止命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在更换
读或写命令在任何周期。 (此流水线设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
单3.3 ± 0.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ,具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM或LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
- 1,2 ,4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
订购信息
产品型号
HY57V281620AT-6
HY57V281620AT-7
HY57V281620AT-K
HY57V281620AT-H
HY57V281620AT-8
HY57V281620AT-P
HY57V281620AT-S
HY57V281620ALT-6
HY57V281620ALT-7
HY57V281620ALT-K
HY57V281620ALT-H
HY57V281620ALT-8
HY57V281620ALT-P
HY57V281620ALT-S
时钟频率
166MHz
143MHz
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
166MHz
143MHz
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
正常
4Banks X 2Mbits
x16
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
低功耗
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士不承担使用电路的任何责任DE-
划线。没有专利许可。
修订版1.3 /八月01