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HY57V281620HCT-KI 参数 Datasheet PDF下载

HY57V281620HCT-KI图片预览
型号: HY57V281620HCT-KI
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内容描述: 4银行x 2米X 16位同步DRAM [4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 11 页 / 78 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V281620HC(L/S)T-I
直流特性II
( TA = -40〜 85°C ,V
DD
=3.3
±
0.3V, V
SS
=0V)
速度
参数
符号
测试条件
-6I
工作电流
I
DD1
I
DD2P
I
DD2PS
突发长度= 1 ,一家银行主动
t
RC
t
RC
(分钟) ,我
OL
=0mA
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
= 15ns的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
= 15ns的
输入信号在一个时间变
为30ns 。所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
= 15ns的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CK
=
CKE
V
IH
(分钟) , CS
V
IH
(分钟) ,T
CK
= 15ns的
输入信号在一个时间变
为30ns 。所有其他引脚
V
DD
-0.2V或
0.2V
CKE
V
IH
(分钟) ,T
CK
=
输入信号是稳定的。
t
CK
t
CK
(分钟) ,我
OL
=0mA
所有银行都主动
CL=3
CL=2
150
160
240
140
140
240
130
140
220
130
单位
-7I
130
-KI
120
120
2
-8I
120
-PI
110
-SI
110
mA
1
预充电待机电流
在掉电模式
mA
1
I
DD2N
预充电待机电流
在非掉电模式
I
DD2NS
I
DD3P
I
DD3PS
20
mA
15
5
mA
5
主动待机电流
在掉电模式
I
DD3N
主动待机电流
在非掉电模式
I
DD3NS
30
mA
20
130
140
220
2
130
140
200
110
120
200
110
mA
120
200
mA
mA
uA
uA
2
3
4
5
1
突发模式工作
当前
自动刷新当前
I
DD4
I
DD5
t
RRC
t
RRC
(分钟) ,所有银行主动
自刷新电流
I
DD6
CKE
0.2V
800
500
注意:
1.I
DD1
DD4
取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出开路
2.Min 。 TRRC的( RAS刷新周期时间)显示在交流特性II
3.HY57V281620HCT-6I/KI/HI/8I/PI/SI
4.HY57V281620HCLT-6I/KI/HI/8I/PI/SI
5.HY57V281620HCST-6I/KI/HI/8I/PI/SI
1.0版/三月02
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