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HY57V281620HCT-K 参数 Datasheet PDF下载

HY57V281620HCT-K图片预览
型号: HY57V281620HCT-K
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内容描述: 4银行x 2米X 16位同步DRAM [4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 13 页 / 97 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V281620HC(L)T
命令真值表
命令
模式寄存器设置
CKEn-1
H
CKEN
X
CS
L
H
无操作
H
X
L
银行主动
H
阅读Autoprecharge
H
与Autoprecharge写
预充电所有银行
H
预充电选择银行
突发停止
DQM
自动刷新
突发读单
条目
自刷新
1
出口
L
H
L
H
条目
预充电
掉电
出口
L
H
L
H
时钟
暂停
条目
H
L
L
出口
L
H
V
X
V
V
X
H
X
H
X
H
X
X
X
H
L
L
H
H
X
H
X
H
X
X
X
H
X
H
X
H
X
X
H
H
H
H
H
H
X
L
L
L
L
H
X
L
H
X
L
L
L
X
L
L
L
X
H
L
H
X
X
H
L
X
V
X
X
X
X
X
L
L
H
L
X
X
L
X
X
X
A9脚高
(其他引脚OP代码)
太太
模式
RAS
L
X
H
L
CAS
L
X
H
H
WE
L
X
DQM
X
ADDR
A10/
AP
操作码
BA
X
H
H
X
RA
X
H
X
L
V
L
X
L
H
L
H
X
CA
H
L
V
X
L
H
L
L
X
CA
H
H
V
X
V
注意:
1.退出自刷新发生了异步使CKE从低到高
2, X =无关,H =逻辑高电平, L =逻辑低电平。 BA =银行地址, RA =行地址, CA =列地址,
操作码=操作数代码, NOP =无操作
3,突发读取事务所写入模式通过编程写入突发模式位( A9 )模式寄存器为逻辑1输入。
修订版0.2 /八月01
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