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    HY57V283220T-55 参数 Datasheet PDF下载

    HY57V283220T-55图片预览
    型号： HY57V283220T-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4银行X 1M X 32位同步DRAM [4 Banks x 1M x 32Bit Synchronous DRAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
    文件页数/大小： 15 页 / 914 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HY57V283220T-55的Datasheet PDF文件第9页  
    HY57V283220 （L） T（ P）/ HY5V22 （L）的F（ P）的
    4银行X 1M X 32位同步DRAM
    修订历史
    版本号
    0.1
    历史
    确定初步规范
    1)
    2)
    3)
    4)
    5)
    6)
    修改FBGA球配置错字。
    改变功能框图，从A10到A11 。
    改变了V
    DD
    分从3.0V至3.135V 。
    改变帽。从C11 ， 3 ， 5价值4PF & C12 ， 3.8〜 4PF 。
    插入吨
    AC2
    值。
    Insdrt吨
    RAS
    & CLK价值。
    备注
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    0.6
    0.7
    0.8
    0.9
    我定义
    DD
    规格。
    Delited初步。
    改变了我
    DD
    规格。
    133MHz的速度增加
    改变的FBGA封装尺寸从到第十二季8x13 。
    1 ）改变V
    DD
    分从3.135V至3.0V 。
    2 ）变更V
    IL
    分从V
    SSQ
    -0.3V到-0.3V 。
    修改后的大小地震署的。 （第15页）
    （公式：
    13.00
    ±
    10
    -> 13.00
    ±
    0.10)
    这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。 Hynix半导体公司不承担
    用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
    修订版0.9 2004 /月

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