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HY57V561620BT-HI 参数 Datasheet PDF下载

HY57V561620BT-HI图片预览
型号: HY57V561620BT-HI
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内容描述: 4银行x 4米X 16Bit的同步DRAM [4 Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 161 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V561620B(L)T-I
交流特性II
-6I
参数
符号
手术
RAS周期时间
自动刷新
RAS到CAS延迟
RAS活动时间
RAS预充电时间
RAS到RAS银行主动延迟
CAS到CAS延迟
写命令数据在延迟
数据到预充电命令
输入数据为ACTIVE命令
DQM到数据输出高阻
DQM到数据输入掩码
黄新建命令
预充电到数据
输出高阻
CAS延时= 3
CAS延时= 2
TRRC
tRCD的
tRAS的
激进党
TRRD
TCCD
tWTL
tDPL
tDAL
tDQZ
TDQM
超过tMRD
tPROZ3
tPROZ2
TPDE
tSRE
TREF
60
18
42
18
12
1
0
2
5
2
0
2
3
2
1
1
-
-
-
100K
-
-
-
-
-
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-
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-
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-
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-
64
60
15
45
15
15
1
0
2
5
2
0
2
3
2
1
1
-
-
-
100K
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-
-
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64
65
20
45
20
15
1
0
2
5
2
0
2
3
2
1
1
-
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100K
-
-
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-
64
68
20
48
20
16
1
0
2
5
2
0
2
3
2
1
1
-
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100K
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64
70
20
50
20
20
1
0
2
5
2
0
2
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64
70
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20
20
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0
2
5
2
0
2
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-
100K
-
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-
64
ns
ns
ns
ns
ns
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
CLK
ms
1
TRC
60
最大
-
60
最大
-
65
最大
-
68
最大
-
70
最大
-
70
最大
-
ns
-KI
-8I
-PI
-SI
单位
掉电退出时间
自刷新退出时间
刷新时间
注意:
1.新的命令可以自刷新退出后给予TRRC
Rev.1.3 / 2003年4月
8