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HY57V561620T-S 参数 Datasheet PDF下载

HY57V561620T-S图片预览
型号: HY57V561620T-S
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内容描述: 4Banks X大4M x 16Bit的同步DRAM [4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 13 页 / 153 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY57V561620(L)T
4Banks X大4M x 16Bit的同步DRAM
描述
该HY57V561620T是268,435,456bit CMOS同步DRAM ,非常适合主存储应用
这需要大的存储密度和高带宽。 HY57V561620组织成4银行4,194,304x16 。
该HY57V561620T是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有的输入和
输出与输入时钟的上升沿同步。的数据通路内部流水线实现非常
高带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度( 2 CAS延迟或3)的连续的读或写,所述数
由一个单一的控制命令( 1,2,4,8或整页突发长度)发起的周期,突发计数
序列(顺序或交错) 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 (该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
3.3V单电源
±
0.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 54pin TSOP- II ,具有0.8mm
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过UDQM和LDQM数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
8192刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1 , 2 , 4 , 8和全页的顺序突发
- 1, 2,4和8为交错突发
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
订购信息
产品型号
HY57V561620T-HP
HY57V561620T-H
HY57V561620T-8
HY57V561620T-P
HY57V561620T-S
HY57V561620LT-HP
HY57V561620LT-H
HY57V561620LT-8
HY57V561620LT-P
HY57V561620LT-S
时钟频率
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
133MHz
133MHz
125MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
正常
4Banks X 4Mbits
x16
LVTTL
400mil 54pin TSOP II
动力
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版1.8 / Apr.01